一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法技术

一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明专利技术的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基（纳米硅基）薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基薄膜太阳电池制备领域，尤其是一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法。
技术介绍
单室等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的低成本特点，再与新型高效非晶 /微晶硅基(纳米硅基)叠层电池技术相结合，将使硅基薄膜太阳电池低成本的潜在优势得 到真正体现。但是由于单室沉积存在的交叉污染问题是一个必须要关注的问题，特别是对 于微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池其污染问题则更严重，因为微晶硅的掺杂效率高，这 种"无意"的杂质掺杂将会使得污染问题变的更为严重，使得单室沉积的微晶硅基(纳米硅 基)薄膜太阳电池的短路电流密度远低于分室制备的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池 的短路电流密度，而几乎接近于非晶硅薄膜太阳电池的水平，而开路电压又小于非晶硅薄 膜太阳电池，所以其电池的光电转换效率很低。 为了提高微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的效率，尽可能降低存在的交叉污 染问题，对于单室沉积的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池，其本征层的沉积往往需要略 微高的晶化率，也就是同分室沉积的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池相比，不得不牺 牲相应的开路电压，以便具有一定的短路电流，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，其特征在于：制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，工艺参数为：频率２７．１２ＭＨｚ－１００ＭＨｚ、反应气体气压１Ｔｏｒｒ－１０Ｔｏｒｒ、衬底温温度为１００℃－３００℃、功率密度０．１５Ｗ／ｃｍ↑［２］－１Ｗ／ｃｍ↑［２］、电极间距５ｍｍ－１５ｍｍ、沉积时间小于２０ｍｉｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓丹，赵颖，王光红，许盛之，郑新霞，魏长春，孙建，耿新华，熊绍珍，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]