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本发明公开了一种厚氧化薄膜的制作方法,该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米,该方法包括如下步骤:第一步,采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜;第二步,退火处理。本发明通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种厚氧化薄膜的制作方法,该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米,该方法包括如下步骤:第一步,采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜;第二步,退火处理。本发明通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积...