气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备制造技术

本发明专利技术提供一种气体注入器和具有所述气体注入器的膜沉积设备。所述气体注入器包含主体、供应孔、注入孔以及分配板。所述主体经配置以在其中提供内部空间。所述供应孔形成于所述主体的上表面中以与所述内部空间连通并接收原材料。所述注入孔形成于所述主体的下表面中以与所述内部空间连通并注入所述原材料。所述分配板安置在所述主体的所述内部空间中。通孔形成于所述分配板中。所述分配板安置为相对于水平平面以预定角度倾斜。所述气体注入器可均匀注入所述原材料并提高具有粉末形式的原材料的气化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种膜沉积设备，且更特定来说，涉及一种经配置以有效地将具有粉末形式的原材料气化以提高沉积产量且经配置以注入均匀气体以提高膜均匀性的气体注入器，以及具有所述气体注入器的膜沉积设备。
技术介绍
在制造半导体装置的工艺中，其中反应气体对衬底的表面进行反应以形成由所需材料形成的膜的工艺称为化学气相沉积(下文中称为“CVD”)工艺。为了执行相关技术沉积工艺，膜沉积设备包含腔室、衬底支撑件以及气体注入器。衬底支撑件安置在腔室内以支撑衬底。面向衬底支撑件的气体注入器经配置以向衬底的上表面供应气化的原材料。这里 ，在气体注入器内提供其中具有粉末形式的原材料被气化以储存气化的原材料的预定空间。多个注入孔界定于气体注入器的下表面中。所述多个注入孔与所述预定空间连通以将气化的原材料注入到衬底上。用以注入气化的原材料的注入孔包含经配置以引入具有粉末形式的原材料的入口端口以及经配置以排放气化的原材料的出口端口。入口端口和出口端口相对于彼此垂直安置。因此，存在的限制是在气体注入器中没有及时气化的原材料被注入腔室。另外，出口端口的若干部分安置在对应于入口端口的用以引入具有粉末形式的原材料的位置的位置处。因此，安置在对应于入口端口位置的位置处的出口端口具有大于未安置在对应于入口端口位置的位置处的出口端口的压力的压力。因此，原材料没有从气体注入器均匀注入。因此，气体注入器没有将原材料均匀注入到衬底的上表面上。因此，难以在衬底的上表面上形成均匀膜，且存在的限制是具有粉末形式的原材料或微粒沉积在衬底的上表面上。另外，没有均匀地沉积膜，而且沉积了杂质从而减少处理产量。
技术实现思路
本专利技术提供一种经配置以注入均匀气体以提高膜均匀性的气体注入器以及具有所述气体注入器的膜沉积设备。本专利技术还提供一种经配置以有效地将具有粉末形式的原材料气化以提高处理产量的气体注入器以及具有所述气体注入器的膜沉积设备。根据示范性实施例，一种气体注入器包含:主体，其经配置以在其中提供内部空间；供应孔，其形成于所述主体的上表面中以与所述内部空间连通并接收原材料；注入孔，其形成于所述主体的下表面中以与所述内部空间连通并注入所述原材料；以及分配板，其安置在所述主体的所述内部空间中，所述分配板包含通孔，其中所述分配板相对于水平表面以预定角度倾斜。分配板可安置在所述内部空间中处于所述供应孔与所述注入孔之间。所述分配板可相对于所述水平表面以从约30度到约60度范围内的角度倾斜。所述注入孔可包含第一注入孔和第二注入孔。所述第一和第二注入孔形成于所述主体的下部部分中且在宽度方向上彼此间隔开。所述分配板可包含安置在所述供应孔与所述第一注入孔之间的第一分配板以及安置在所述供应孔与所述第二注入孔之间的第二分配板。所述第一分配板和所述第二分配板可垂直于所述水平表面安置。所述气体注入器可进一步包含经配置以将所述原材料气化的加热单元。所述注入孔可形成于高于经配置以在其中提供所述内部空间的所述主体的内部的底表面的位置的位置处。 根据另一示范性实施例，一种膜沉积设备包含:腔室；衬底支撑件，其安置在所述腔室的下部部分中以支撑衬底；以及气体注入器，其面向所述衬底支撑件，其中所述气体注入器包含相对于水平表面以预定角度倾斜的分配板。所述膜沉积设备可包含:主体，其经配置以在其中提供内部空间；供应孔，其形成于所述主体的上表面中以与所述内部空间连通并接收原材料；注入孔,其形成于所述主体的下表面中以与所述内部空间连通并注入所述原材料；以及分配板，其安置在所述主体的所述内部空间中，所述分配板包括通孔。所述分配板可相对于所述水平表面以从约30度到约60度范围内的角度倾斜。根据又一示范性实施例，一种气体注入器包含:加热单元，其经配置以将原材料气化；以及注入单元，其包括提供于所述加热单元下方的内部空间，其中来自所述加热单元的气化的原材料被接收到所述内部空间中并保持在其中，且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸。此外，与所述内部空间连通的所述气体注入通路的一个末端形成于高于经配置以在其中提供所述内部空间的所述注入单元的内部的底表面的位置的位置处。 所述气体注入通路可以是弯曲的。所述气体注入通路可包含至少一个平面部分以及连接到所述平面部分的至少一个垂直部分。所述注入单元可包含经配置以在其中提供所述内部空间的第一注入单元以及耦合到所述第一注入单元的外部的第二注入单元，且所述气体注入通路可形成于所述第一注入单元和所述第二注入单元内。所述气体注入通路可从所述第一注入单元的内表面延伸到所述第二注入单元的下表面。所述内部空间可具有矩形形状、菱形形状、圆形形状以及椭圆形形状中的一者。根据又一示范性实施例，一种膜沉积设备包含:腔室；衬底支撑件，其安置在所述腔室的下部部分中；以及注入单元，其包括经提供以面向所述衬底支撑件的内部空间，其中原材料保持在所述内部空间中，且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸。此外，所述气体注入通路的一个末端形成于高于经配置以在其中提供所述内部空间的所述注入器的内部的底表面的位置的位置处。附图说明从以下结合附图阅读的描述可更详细了解示范性实施例，其中:图1是根据示范性实施例的膜沉积设备的示意性横截面图；图2是根据示范性实施例的气体注入器的部分剖面透视图；图3是根据示范性实施例的气体注入器的垂直横截面 图4是根据示范性实施例的修改的气体注入器的部分剖面透视图；图5是根据示范性实施例的另一修改的气体注入器的部分剖面透视图；图6是说明根据示范性实施例的另一修改的气体注入器内的气流的横截面图；图7是根据另一示范性实施例的包含气体注入器的膜沉积设备的示意性横截面图；图8是说明根据另一示范性实施例的气体注入器的外观的部分透视图；图9是沿着图8的线A-A截取的注入板的横截面图；以及图10到13是根据另一示范性实施例的气体注入器中提供的注入板的横截面图。具体实施例方式下文中，将参看附图详细描述特定示范性实施例。然而本专利技术可以不同形式实施，且不应解释为限于本文陈述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本专利技术将为详尽且完整的，且将本专利技术的范围完全传达给所属领域的技术人员。相同参考标号始终指代相同元件。图1是根据示范性实施例的膜沉积设备的示意性横截面图，且图2是根据示范性实施例的气体注入器的部分剖面透视图。图3是根据示范性实施例的气体注入器的垂直横截面图，且图4是根据示范性实施例的修改的气体注入器的部分剖面透视图。图5是根据示范性实施例的另一修改的气体注入器的部分剖面透视图，且图6是说明根据示范性实施例的另一修改的气体注入器内的气流的横截面图。参看图1，根据示范性实施例的膜沉积设备包含腔室100、提供在腔室100的上部部分中的气体注入器200、面向气体注入器200的衬底支撑件300。腔室100具有圆柱形形状或矩形盒形状。在腔室100内提供预定空间以处理衬底S。尽管腔室100具有圆柱形形状或矩形盒形状，但其不限于此。举例来说，腔室100可具有对应于衬底S形状的形状。用以装载和卸载衬底S的衬底进入口 110安置在腔室100的一个侧壁中。衬底进入口 Iio可安置在腔室100的另一侧壁中。排出端口 120安置在腔室100的下表面中以排出腔室100内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体注入器，其包括：加热单元，其经配置以将原材料气化；以及注入单元，其包括提供于所述加热单元下方的内部空间，其中来自所述加热单元的气化原材料被接收到所述内部空间中并保持在其中，且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸，其中所述气体注入通路的一个末端形成于所述内部空间的侧壁上。

【技术特征摘要】
2007.12.31 KR 10-2007-0141273;2007.12.31 KR 10-201.一种气体注入器，其包括: 加热单元，其经配置以将原材料气化；以及 注入单元，其包括提供于所述加热单元下方的内部空间，其中来自所述加热单元的气化原材料被接收到所述内部空间中并保持在其中，且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸， 其中所述气体注入通路的一个末端形成于所述内部空间的侧壁上。2.根据权利要求1所述的气体注入器，其中所述气体注入通路是弯曲的。3.根据权利要求2所述的气体注入器，其中所述气体注入通路包括至少一个平面部分以及连接到所述平面部分的至少一个垂直部分。4.根据权利要求1所述的气体注入器，其中所述注入单元包括经配置以在其中提供所述内部空间的第一注入单元以及耦合到所述第一注...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亨燮，南宫晟泰，李圭桓，权宁浩，李昌宰，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，ADS有限公司，
类型：发明
国别省市：