气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备制造技术

本发明专利技术提供一种气体注入器和具有所述气体注入器的膜沉积设备。所述气体注入器包含主体、供应孔、注入孔以及分配板。所述主体经配置以在其中提供内部空间。所述供应孔形成于所述主体的上表面中以与所述内部空间连通并接收原材料。所述注入孔形成于所述主体的下表面中以与所述内部空间连通并注入所述原材料。所述分配板安置在所述主体的所述内部空间中。通孔形成于所述分配板中。所述分配板安置为相对于水平平面以预定角度倾斜。所述气体注入器可均匀注入所述原材料并提高具有粉末形式的原材料的气化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种膜沉积设备，且更特定来说，涉及一种经配置以有效地将具有粉末形式的原材料气化以提高沉积产量且经配置以注入均匀气体以提高膜均匀性的气体注入器，以及具有所述气体注入器的膜沉积设备。
技术介绍
在制造半导体装置的工艺中，其中反应气体对衬底的表面进行反应以形成由所需材料形成的膜的工艺称为化学气相沉积(下文中称为“CVD”)工艺。为了执行相关技术沉积工艺，膜沉积设备包含腔室、衬底支撑件以及气体注入器。衬底支撑件安置在腔室内以支撑衬底。面向衬底支撑件的气体注入器经配置以向衬底的上表面供应气化的原材料。这里 ，在气体注入器内提供其中具有粉末形式的原材料被气化以储存气化的原材料的预定空间。多个注入孔界定于气体注入器的下表面中。所述多个注入孔与所述预定空间连通以将气化的原材料注入到衬底上。用以注入气化的原材料的注入孔包含经配置以引入具有粉末形式的原材料的入口端口以及经配置以排放气化的原材料的出口端口。入口端口和出口端口相对于彼此垂直安置。因此，存在的限制是在气体注入器中没有及时气化的原材料被注入腔室。另外，出口端口的若干部分安置在对应于入口端口的用以引入具有粉末形式的原材料的位置的位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体注入器，其包括：加热单元，其经配置以将原材料气化；以及注入单元，其包括提供于所述加热单元下方的内部空间，其中来自所述加热单元的气化原材料被接收到所述内部空间中并保持在其中，且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸，其中所述气体注入通路的一个末端形成于所述内部空间的侧壁上。

【技术特征摘要】
2007.12.31 KR 10-2007-0141273;2007.12.31 KR 10-201.一种气体注入器，其包括: 加热单元，其经配置以将原材料气化；以及 注入单元，其包括提供于所述加热单元下方的内部空间，其中来自所述加热单元的气化原材料被接收到所述内部空间中并保持在其中，且气体注入通路与所述内部空间连通从而以穿透方式朝向所述气体注入单元的下表面延伸， 其中所述气体注入通路的一个末端形成于所述内部空间的侧壁上。2.根据权利要求1所述的气体注入器，其中所述气体注入通路是弯曲的。3.根据权利要求2所述的气体注入器，其中所述气体注入通路包括至少一个平面部分以及连接到所述平面部分的至少一个垂直部分。4.根据权利要求1所述的气体注入器，其中所述注入单元包括经配置以在其中提供所述内部空间的第一注入单元以及耦合到所述第一注...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亨燮，南宫晟泰，李圭桓，权宁浩，李昌宰，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，ADS有限公司，
类型：发明
国别省市：