金属有机物磊晶薄膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种金属有机物磊晶薄膜的制造方法，该方法是在内预置有晶圆基板及α射线的密闭空间内，进行以下步骤，包括：抽真空步骤，对该空间进行抽真空，并维持在超真空环境；燃烧步骤，于前述抽真空过程将强酸物质吸入该空间内，并对该空间施予高压，借真空放电原理令该强酸物质瞬间燃烧；形成步骤，前述瞬间燃烧持续一段时间，借热升华纯化为完整的气体，令该强酸物质进一步利用高压的电位差开始放电，将热升华纯化所形成气体的分子的电子与原子核，透过该晶圆基板将其中的电子分开，并产生结晶体获得质量，有序均匀地埋入该晶圆基板上，形成磊晶薄膜，通过上述方法不仅不良率低、提高产能与质量，还有效地缩小所需设备面积及降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磊晶薄膜制造方法，特别涉及一种用于晶圆上形成均匀晶体结构的。
技术介绍
现有用于晶圆上的磊晶薄膜制造方法依制程不同，大体上分为液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy ;LEP)、有机金属气相嘉晶法(Metal-organic Chemical VaporDeposition ；MOCVD)及分子束嘉晶法(Molecular Beam Epitoxy,MBE)等，其中液相嘉晶法主要用于一般的发光二极管。而分子束磊晶法固然较容易形成极薄的磊晶薄膜，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶薄膜长成速度慢。而有机金属气相磊晶法除了与分子束磊晶法一样具有纯度高，平整性好的特性外，量产能力及磊晶薄膜长成速度皆较分子束磊晶法为快，现今大都以有机金属气相磊晶法来生产。现有有机金属气相磊晶法是将砷化镓(化学式:GaAs)基板置入外延炉，再通入甲基或乙基化合物(ΠΙ、ΙΙ族金属元素的烷基化合物)的蒸气与氢化物或烷基物(非金属V或VI族元素)气体，并在高温下发生解热反应，生成II1-V或I1-VI族化合物沉积在该砷化镓基板上，生长出一层厚度仅几微米(I毫米=1000微米)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属有机物磊晶薄膜的制造方法，其特征在于，该方法是在内预置有晶圆基板及α射线的密闭空间内，进行以下步骤，包括：抽真空步骤，对该密闭空间进行抽真空，并维持在超真空环境；燃烧步骤，于前述抽真空过程将强酸物质吸入该密闭空间内，并对该密闭空间施予高压，借真空放电原理令该强酸物质瞬间燃烧，并达瞬间化学温度至少1100度；形成步骤，将前述瞬间燃烧持续一段时间，借热升华将该强酸物质纯化为完整的气体，令该强酸物质在超真空与高压环境下开始放电，借高压电位差将热升华纯化所形成气体的分子的电子与原子核，透过该晶圆基板将其中的电子分开，并产生结晶体获得质量，有序均匀地埋入该晶圆基板上，形成磊晶薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种金属有机物磊晶薄膜的制造方法，其特征在于，该方法是在内预置有晶圆基板及α射线的密闭空间内，进行以下步骤，包括: 抽真空步骤，对该密闭空间进行抽真空，并维持在超真空环境； 燃烧步骤，于前述抽真空过程将强酸物质吸入该密闭空间内，并对该密闭空间施予高压，借真空放电原理令该强酸物质瞬间燃烧，并达瞬间化学温度至少1100度； 形成步骤，将前述瞬间燃烧持续一段时间，借热升华将该强酸物质纯化为完整的气体，令该强酸物质在超真空与高压环境下开始放电，借高压电位差将热升华纯化所形成气体的分子的电子与原子核，透过该晶圆基板将其中的电子分开，并产生结晶体获得质量，有序均匀地埋入该晶圆基板上，形成磊晶薄膜。2.如权利要求1所述的金属有...

【专利技术属性】
技术研发人员：周义才，
申请(专利权)人：周义才，
类型：发明
国别省市：