【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池片制造领域。具体为一种对硅片进行镀膜的管式PECVD设备。
技术介绍
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)设备，即等离子增强化学气象沉积设备，用于对硅片进行镀膜，如图1所示，其包括上下料区、炉体、抽真空系统和控制系统，硅片装在石墨舟中，通过上下料区进入炉体进行镀膜，镀膜后在上下料区将石墨舟卸下，即下舟。等离子增强化学气象沉积设备对硅片进行镀膜的原理为:借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温(小于450° )实现。尽管如此，从炉体中出来的石墨舟的温度仍然在150°以上，因此运用管式PECVD设备的...
【技术保护点】
一种管式PECVD设备，包括上下料区、炉体、抽真空系统和控制系统，其特征在于：还设有用于存储从炉体内出来的石墨舟的下料存储区，所述下料存储区设置有对石墨舟进行冷却的冷却装置。
【技术特征摘要】
1.一种管式PECVD设备，包括上下料区、炉体、抽真空系统和控制系统，其特征在于:还设有用于存储从炉体内出来的石墨舟的下料存储区，所述下料存储区设置有对石墨舟进行冷却的冷却装置。2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备，其特征在于:所述下料存储区位于所述上下料区的下方。3.根据权利要求1或2所述的管式PECVD设备，其特征在于:下料存储区设有用于架设并存储石墨舟的下料存储架，所述冷却装置位于所述下料存储架的下方。4.根据权利要求1所述的管式PECVD设备，其特征在于:所述冷却装置包括至少一个冷却风机。5.根据权利要求4所述的管式PECVD设备，其特征在于:所述冷...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伟，王广军，沈杨，张琪虎，潘淑阳，陈兵兵，邓雷，尤朝华，吕海强，
申请(专利权)人：洛阳尚德太阳能电力有限公司，无锡尚德太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：
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