成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过将互相反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上并且多次执行该供给循环，层叠多层反应生成物的层而形成薄膜的技术。
技术介绍
作为半导体制造工艺的成膜方法,公知有如下工艺:在真空气氛下使第I反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)等的表面上之后，供给第2反应气体，通过两个气体的反应形成I层或多层的原子层、分子层，通过多次进行该循环而层叠这些层，在基板上进行成膜。该工艺例如被称为ALD (Atomic Layer Deposition)和MLD (MolecularLayer Deposition)等(以下称为ALD方式),能根据循环次数高精度控制膜厚,并且膜质的面内均匀性也良好，因此是能应对半导体器件的薄膜化的有效方法。作为实施这样的成膜方法的装置采用在真空容器的上部中央具有气体簇射头(air shower head)的单片式成膜装置,对从基板的中央部上方侧供给反应气体而从处理容器的底部排出未反应的反应气体和反应副生成物的方法进行了研究。不过，上述成膜方法由吹扫气体进行气体置换需要花费很长的时间，而且循环次数例如也有数百次，因此存在处理时间长这样的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其通过在真空容器内将互相反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上并且执行该供给循环，从而层叠反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括：工作台，其设置在上述真空容器内，用于载置基板；第1反应气体供给部件，用于将第1反应气体供给到该工作台上的基板上；第2反应气体供给部件，用于将第2反应气体供给到该工作台上的基板上；活化部件，其为了进行上述基板上的反应生成物的改性而将被活化的处理气体供给到上述基板上；以及旋转机构，用于使上述第1反应气体供给部件、第2反应气体供给部件以及活化部件与上述工作台之间相对旋转，上述第1反应气体供给部件、第2反应气体供给部件和活化部件沿着工作台的周向配置，...

【技术特征摘要】
2008.08.29 JP 2008-222740;2009.03.13 JP 2009-06161.一种成膜装置，其通过在真空容器内将互相反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板的表面上并且执行该供给循环，从而层叠反应生成物的层而形成薄膜，该成膜装置包括: 工作台，其设置在上述真空容器内，用于载置基板； 第I反应气体供给部件，用于将第I反应气体供给到该工作台上的基板上； 第2反应气体供给部件，用于将第2反应气体供给到该工作台上的基板上； 活化部件，其为了进行上述基板上的反应生成物的改性而将被活化的处理气体供给到上述基板上； 以及旋转机构，用于使上述第I反应气体供给部件、第2反应气体供给部件以及活化部件与上述工作台之间相对旋转， 上述第I反应气体供给部件、第2反应气体供给部件和活化部件沿着工作台的周向配置，使得通过上述相对旋转，基板按顺序处于第I反应气体供给区域、第2反应气体供给区域和被活化了的处理气体的供给区域。2.根据权利要求1所述的成膜装置， 其包括:分离区域，其在上述相对旋转的方向上位于上述第I反应气体供给区域和第2反应气体供给区域之间，用于分离上述第I反应气体供给区域和第2反应气体供给区域的气氛； 以及排气口，用于使上述反应气体与扩散到上述分离区域的两侧的分离气体排出， 上述分离区域包括: 分离气体供给部件，用于供给分离气体； 顶面，其位于该分离气体供给部件的上述旋转方向两侧，用于在顶面与工作台之间形成用于分离气体从该分离区域流动到处理区域侧的狭窄的空间。3.根据权利要求1所述的成膜装置， 上述活化部件具有活化气体注入装置，该活化气体注入装置从上述基板的工作台中心侧的内缘部向工作台外方侧的外缘部延伸，在其长度方向上形成有气体喷出口。4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中 上述活化部件包括: 流路形成构件，其由分隔壁划分成气体活化用流路和气体导入用流路； 气体导入件，用于将处理气体导入到上述气体导入用流路中； 一对电极，其沿着上述分隔壁互相平行地延伸设置在上述气体活化用流路内，施加有用于使处理气体活化的电力； 连通孔，其沿着电极的长度方向设置在上述分隔壁上，用于将上述气体导入用流路内的处理气体供给到上述气体活化用流路中； 以及气体喷出口，其为了喷出在上述气体活化用流路中被活化的气体而沿着上述电极的长度方向设置在上述气体活化用流路上。5.根据权利要求4所述的成膜装置，其中， 上述一对电极分别由陶瓷覆盖。6.根据权利要求4所述成膜装置，其中， 具有气体导入喷嘴，该气体导入喷嘴沿着上述分隔壁设置在上述气体导入用流路内，沿长度方向穿设有气孔，并且上述气体导入件形成在该气体导入喷嘴的基端侧。7.根据权利要求1所述的成膜装置，其中 上述活化部件包括: 流路形成构件，其由分隔壁划分成气体活化用流路和气体导入用流路； 气体导入件，用于将处理气体导入到上述气体导入用流路中； 加热器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，竹内靖，牛窪繁博，菊地宏之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：