化学气相沉积设备的反应腔室制造技术

本发明专利技术实施例提供一种化学气相沉积设备的反应腔室，包括：基座，所述基座用于放置衬底；至少两个喷淋头，与基座相对设置，所述喷淋头用于向所述衬底提供反应气体，每个喷淋头下方至少可以放置一个衬底。本发明专利技术解决了反应腔室中的大尺寸的喷淋头难以加工、大尺寸喷淋头的成本偏高的问题，并且与反应腔室内设置单一的喷淋头相比，本发明专利技术在反应腔室内设置两个以上喷淋头，能够改善衬底上的反应气体的分布的均匀度，提高了形成的外延层的均匀度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及化学气相沉积设备的反应腔室。
技术介绍
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在基座上进行沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的沉积装置的结构示意图。手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和基座12。所述喷淋头11内可以设置多个小孔，所述喷淋头11用于提供反应气体。所述基座12上通常放置多片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述基座12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对所述衬底121进行加热，使得所述衬底121表面的温度达到外延工艺需要的温度。在进行MOCVD工艺时，反应气体自喷淋头11的小孔进入基座12上方的反应区域(靠近衬底121的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积设备的反应腔室，其特征在于，包括：基座，所述基座用于放置衬底；至少两个喷淋头，与基座相对设置，所述喷淋头用于向所述衬底提供反应气体，每个喷淋头下方至少可以放置一个衬底。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备的反应腔室，其特征在于，包括: 基座，所述基座用于放置衬底； 至少两个喷淋头，与基座相对设置，所述喷淋头用于向所述衬底提供反应气体，每个喷淋头下方至少可以放置一个衬底。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备的反应腔室，其特征在于，所述喷淋头公用一套气体源，反应气体自气体源经过气体管道进入喷淋头,在喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：