用于化学气相沉积工艺的喷淋头制造技术

本发明专利技术提供一种用于在衬底上进行化学气相沉积工艺的喷淋头，包括：金属主体层，在进行化学沉积工艺时的温度低于300摄氏度；外表面层，位于所述金属主体层的靠近衬底一侧的表面，所述外表面层在进行化学气相沉积工艺时的温度高于所述金属主体层的温度。本发明专利技术提高了化学气相沉积工艺形成的外延材料层的质量，也提高了化学气相沉积设备的产能和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及用于化学气相沉积工艺的喷淋头。
技术介绍
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在基座上进行沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的化学气相沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的化学气相沉积设备的结构示意图。手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和基座12。所述喷淋头11内可以设置多个喷淋头通孔，所述喷淋头1 1用于提供源气体。所述基座12上通常放置多片衬底121，所述衬底121的材质通常为蓝宝石、S1、SiC、GaAs或InP。所述基座12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对所述衬底121进行加热，使得所述衬底121表面的温度达到化学气相沉积工艺需要的温度。所述喷淋头11内通常设置有冷却单元，在加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学气相沉积工艺的喷淋头，其特征在于，包括：金属主体层，在进行化学沉积工艺时的温度低于300摄氏度；外表面层，位于所述金属主体层的靠近衬底一侧的表面，所述外表面层在进行化学气相沉积工艺时的温度高于所述金属主体层的温度。

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积工艺的喷淋头，其特征在于，包括: 金属主体层，在进行化学沉积工艺时的温度低于300摄氏度； 外表面层，位于所述金属主体层的靠近衬底一侧的表面，所述外表面层在进行化学气相沉积工艺时的温度高于所述金属主体层的温度。2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述金属主体层中具有冷却介质流动，该冷却介质用于对所述金属主体层进行冷却，使得所述金属主体层的温度低于200摄氏度。3.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述外表面层上设置有温控装置，用于控制外表面层的温度，使得所述外表面层的靠近衬底一侧的温度范围为300 800摄氏度。4.如权利要求1所述的喷淋...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，陈勇，叶芷飞，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：