【技术实现步骤摘要】
本技术涉及制备半导体薄膜的技术，尤其涉及一种用于MOCVD设备反应室的均气装置。
技术介绍
金属有机化合物化学气相沉积(简称MOCVD)是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。现有MOCVD反应室的进气方式主要分两种，一种是从反应室腔体的侧面进气，从一侧流向另一侧，由于反应气体到达基片上方各点的流动路径和到达的时间不一致，加上在流动的过程中一部分气体在发生化学反应而导致气源损耗，易造成基片上方各点浓度不均匀；另一种是通过喷淋头或喷射器对反应室进行供气，然而现有许多气体喷射系统具有干扰有效操作或沉积不均匀，气体流动出现“死区”的现象。所以现有的MOCVD反应室装置不能提供一个均匀气场的设备结构，导致生长的膜厚均匀性差、批量生产合格率低，能量、气源利用率低，很难满足半导体产业化高产出与低成本的要求。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种用于MOCVD设备反应室的均气装置。本技术采用的技术方案是，设计一种用于MOCVD设备反应室的均气装置，包括设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。所述上层气源腔室出口的均流网比下层气源腔室出口的均流网细密。在一实施例中，所述的法兰还设有冷却装置，该冷却装置包括设置在法兰上表面的盖板，该盖板和法兰上表面之间形成冷却水层，冷却水层中带有冷却水引流槽。所述的冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置。与现有技术相比，本技术能给MOCVD反应室装置提供一...
【技术保护点】
一种反应室均气装置，其特征在于包括：设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。
【技术特征摘要】
1.一种反应室均气装置，其特征在于包括设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。2.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于上层气源腔室出口的均流网比下层气源腔室出口的均流网细密。3.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖四哲，邓金生，贺有志，王钢，范冰丰，童存声，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，佛山市中山大学研究院，
类型：实用新型
国别省市：
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