【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种刻蚀烘烤设备，该刻蚀烘烤设备通常为氯气刻蚀烘烤设备，其具有反应室组件，石墨盘或外延衬底片可在反应室组件内进行刻蚀和烘烤。
技术介绍
金属有机化学气相沉积设备(简称MOCVD)以热分解反应方式在衬底上进行化学沉积反应，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，石墨盘作为衬底的承载平台，在该反应过程中会有多余的化学反应残留物沉积在石墨盘表面上，假如不加以清除，必然会在新的一炉外延片生长过程中影响对应的温度控制、表面颗粒等，并最终影响到外延片生长的成品率。目前市场提供和业内使用的石墨盘清洁方法通常采用长时间高温烘烤的方式，存在单炉次烘烤的时间比较长，烘烤温度太高影响石墨盘循环使用的寿命等问题，同时无法对工艺生长过程中产生的报废外延衬底片进行刻蚀。目前市场上还没有对 于MOCVD和外延片进行刻蚀、清洁的专用设备，目前业内使用的石墨盘清洁方法通常采用真空烧结炉进行长时间高温烘烤的方式，存在单炉次烘烤的时间比较长(单炉次约14小时)，烘烤温度太高(最高温度约1400度)影响石墨盘循环使用的寿命等问题，同时无法对工艺生...
【技术保护点】
一种刻蚀烘烤设备（10），所述刻蚀烘烤设备（10）包括：反应室组件（100），所述反应室组件（100）形成用于容纳石墨盘（20）或外延衬底片的反应腔（150），加热组件（200），所述加热组件（200）设置在所述反应室组件（100）的外周；以及设备平台（500），所述反应室组件（100）和所述加热组件（200）由该设备平台（500）支承；其特征在于，所述反应室组件（100）包括：反应罩（110），所述反应罩（110）的顶部设有通气管（111），所述反应罩（110）的底侧敞开；反应罩固定座（120），所述反应罩固定座（120）固定支承所述反应罩（110）；以及底盖（140），...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀烘烤设备(10)，所述刻蚀烘烤设备(10)包括: 反应室组件(100)，所述反应室组件(100)形成用于容纳石墨盘(20)或外延衬底片的反应腔(150)， 加热组件(200)，所述加热组件(200)设置在所述反应室组件(100)的外周；以及 设备平台(500)，所述反应室组件(100)和所述加热组件(200)由该设备平台(500)支承； 其特征在于，所述反应室组件(100)包括: 反应罩(110 )，所述反应罩(110)的顶部设有通气管(111 )，所述反应罩(110)的底侧敞开； 反应罩固定座(120)，所述反应罩固定座(120)固定支承所述反应罩(110);以及 底盖(140)，所述底盖(140 )设有连通所述反应腔(150)的至少一条尾气通道(141)。2.如权利要求1所述的刻蚀烘烤设备(10)，其特征在于，所述反应罩(110)密封连接到所述反应罩固定座(120)上。3.如权利要求2所述的刻蚀烘烤设备(10)，其特征在于，所述反应罩(110)的下端设有凸缘部(115)，所述反应罩(110)通过压圈(130)接合所述凸缘部(115)而将所述反应罩(110)固定到所述反应罩固定座(120)上，所述凸缘部(115)和压圈(130)的接合部中设有密封件，以实现所述反应罩(110)与所述反应罩固定座(120)的密封连接。4.如权利要求1所述的刻蚀烘烤设备(10)，其特征在于，所述反应罩固定座(120)具有面朝上方的第一配合面(1 22)和面朝下方的第二配合面(123)，所述第一配合面(122)与反应罩(110)的敞开的下端的端面配合在一起，所述第二配合表面与底盖(140)配合，所述第二配合表面与底盖(140)之间设有密封件。5.如权利要求4所述的刻蚀烘烤设备(10)，其特征在于，第二配合面(123)形成有台阶部，台阶部将第二配合面(123)分成两个部分，其中第二配合面(123)的一部分与设备台面配合，第二配合面(123)的另一部分与底盖(140)配合。6.如权利要求1所述的刻蚀烘烤设备(10)，其特征在于，所述反应罩固定座(120)内部设有水腔(125)，水腔(125)设有...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐小明，周永君，丁云鑫，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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