化学气相沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积设备。采用了多个生长腔室，将沉积的多层材料层分在多个生长腔室内进行，至少两个生长腔室用于生长多层材料层的不同层材料层，如此一方面使得不同的生长腔室能够很容易满足不同材料层生长的温度、压强等条件不同的需要，另一方面，各个生长腔室可以较佳的控制反应时间，从而使得生产过程中尽可能的避免某一或某些腔室处于等待状态的问题，大大的提高了生产效率，同时，设置有多个基座，每一个基座承载基片在该基座对应的生长腔室中沉积对应的材料层，避免了基座上沉积其它材料层物质对正在沉积的材料层造成污染，从而提高了产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学气相沉积(CVD)设备，特别是一种有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备。
技术介绍
现阶段，由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的各种优势使得其得到了广泛的应用。然而随之而来的就是业内对LED的性能要求越发的苛刻，而LED的制造又是一个需要进行多次材料层沉积的过程，因此，如何保证材料层沉积后能够发挥出应有的作用，将对LED性能的改进有着重大的影响。现有技术中，对各种材料层的沉积都是在一个生长腔室内进行的，譬如，是在金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备的同一个生长腔室中进行的，这会导致各种严重的问题: 一方面，由于各个材料层的沉积是需要不同的温度范围，故若在同一个生长腔室内沉积各个材料层，则该生长腔室就必须能够提供一个较大的温差，例如可以为480°C 1100°C。通常，这个温度范围是可以达到的，但是却不能够非常精确的控制在沉积某一层时达到所需要的温度，那么这就使得沉积的各个材料层性能不良，进而导致LED的波长、亮度及开启电压等参数的均匀性变差。另一方面，由于在同一个生长腔室内有着多次的温度变动，那么对每个所需的温度范围的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于多层材料层沉积的化学气相沉积设备，其特征在于，包括：传送腔室、多个生长腔室及多个门阀，所述多个生长腔室分别位于所述传送腔室的外侧，并皆通过所述门阀与所述传送腔室相接通；所述化学气相沉积设备进一步包括多个基座，每个所述基座对应一个所述生长腔室，基片被依次直接设置在所述多个基座上，每个所述基座承载所述基片在所述基座对应的生长腔室中沉积一层材料，其中，至少两个所述生长腔室用于生长所述多层材料层的不同层材料。

【技术特征摘要】
1.一种适用于多层材料层沉积的化学气相沉积设备，其特征在于，包括:传送腔室、多个生长腔室及多个门阀，所述多个生长腔室分别位于所述传送腔室的外侧，并皆通过所述门阀与所述传送腔室相接通；所述化学气相沉积设备进一步包括多个基座，每个所述基座对应一个所述生长腔室，基片被依次直接设置在所述多个基座上,每个所述基座承载所述基片在所述基座对应的生长腔室中沉积一层材料，其中，至少两个所述生长腔室用于生长所述多层材料层的不同层材料。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述多层材料层包括LED外延片的缓冲层、N型半导体层、量子阱发光层和P型半导体层。3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述生长腔室包括第一生长腔室、第二生长腔室和第三生长腔室；所述第一生长腔室用于生长所述N型半导体层，所述第二生长腔室用于生长所述量子阱发光层，所述第三生长腔室用于生长所述P半导体层。4.如权利要求3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述生长腔室包括N个所述第一生长腔室、X个所述第二生长腔室和Y个所述第三生长腔室，其中所述N、X和Y均为大于等于I的自然数；在每个所述第一生长腔室生长所述N型半导体层厚度的1/N ;在每个所述第二生长腔室生长所述量子阱发光层厚度的1/X ;在每个所述第三生长腔室生长所述P型半导体层厚度的1/Y。5.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一生长腔室、所述第二生长腔室和所述第三生长腔室的数量之比使得基...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：