反应腔室制造技术

本发明专利技术提供了一种反应腔室，所述反应腔室包括：腔体；设置于所述腔体内的托盘；设置于所述腔体内的旋转结构，所述旋转结构通过筒状侧壁与所述托盘连接，所述旋转结构、托盘及筒状侧壁形成了一容置空间；设置于所述容置空间内用于加热所述托盘的加热器；及设置于所述容置空间内的隔热结构，所述隔热结构至少减少加热器与旋转结构之间的热交换。在本发明专利技术提供的反应腔室中，所述旋转结构不易损坏、使用寿命较长，从而能够降低设备维护投入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设备
，特别涉及一种反应腔室。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和ν、νι族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种II1-V族、I1- VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。请参考图1，其为现有技术的MOCVD设备的反应腔室的结构示意图。如图1所示，反应腔室I包括腔体10 ;设置于所述腔体10内的托盘11，所述托盘11用以承载待处理的半导体晶片或介质基片；驱动所述托盘11转动的旋转结构14，所述旋转结构14通过筒状侧壁16与所述托盘11连接，并且所述旋转结构14、托盘11及筒状侧壁16形成了一容置空间；加热器12，所述加热器12置于所述容置空间内，并且所述加热器12通过支撑结构13保持稳定。然而，现有技术的反应腔室中，所述旋转结构通常在没有达到其设计时的使用寿命之前就已经损坏，从而大大增加了设备维护投入。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种反应腔室，以解决现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，其特征在于，包括：腔体；设置于所述腔体内的托盘；设置于所述腔体内的旋转结构，所述旋转结构通过筒状侧壁与所述托盘连接，所述旋转结构、托盘及筒状侧壁形成了一容置空间；设置于所述容置空间内用于加热所述托盘的加热器；及设置于所述容置空间内的隔热结构，所述隔热结构至少减少加热器与旋转结构之间的热交换。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括:腔体；设置于所述腔体内的托盘；设置于所述腔体内的旋转结构，所述旋转结构通过筒状侧壁与所述托盘连接，所述旋转结构、托盘及筒状侧壁形成了一容置空间；设置于所述容置空间内用于加热所述托盘的加热器；及设置于所述容置空间内的隔热结构，所述隔热结构至少减少加热器与旋转结构之间的热交换。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述隔热结构为一隔热板，所述隔热板设置于所述加热器和旋转结构之间。3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述加热器和旋转结构中，所述隔热板更靠近所述加热器。4.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述隔热板与所述筒状侧壁之间具有一间隙，所述间隙的宽度为0.lmnTlOmm。5.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述筒状侧壁上设置有排气孔，且所述排气孔位于所述隔热板和加热器之间区域的所述筒状侧壁。6.如权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述排气孔的直径为0.lmnTlmm。7.如权利要求2所述的反应 腔室，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄允文，李王俊，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：