【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产设备的设计领域，尤其涉及采用电磁加热的CVD设备。
技术介绍
化学气相沉积(英文:Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。 反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。化学气相沉积技术已在半导体镀膜领域广泛运用，由于半导体镀膜的过程需要在隔离与外界空气接触的状态或接近真空的状态下进行。现有技术中，半导体集成制造系统的每一工艺流程均需在密闭的环境下进行，当完成一工艺流程后，需将半导体半成本取出，以进行下一步的工艺处理，但其对取出后的空间真空度要求较高，因此造成半导体集成制造设备制造困难，厂房的规模巨大。厂家投资建厂一方面需承担前期大量的资金投入，另一方面通常建设一半导体集成制造系统需要数年的时间，可见目前建设一半导体集成制造系统资金投入量大且时间久，且容易造成厂家资金周转的困难...
【技术保护点】
采用电磁加热的CVD设备，包括一壳体，其特征在于：所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀膜材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体内入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带并带动其移动的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述壳体上开设有供惰性气体进入的进气口和排出的排气口，所述下腔内设有移动的电磁混合装置，所述电磁混合装置具有一朝向所述传输带并喷射工作气体的喷气嘴。
【技术特征摘要】
1.米用电磁加热的CVD设备,包括一壳体,其特征在于:所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀膜材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体内入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带并带动其移动的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述壳体上开设有供惰性气体进入的进气口和排出的排气口，所述下腔内设有移动的电磁混合装置，所述电磁混合装置具有一朝向所述传输带并喷射工作气体的喷气嘴。2.根据权利要求1所述的采用电磁加热的CVD设备，其特征在于:所述下腔内设有一转动的丝杆，所述电磁混合装置设有与所述丝杆适配的螺纹孔，所述电磁混合装置由所述螺纹孔安装于所述丝杆上。3.根据权利要求2所述的采用电磁加热的CVD设备，其特征在于:所述电磁混合装置包括具有混合腔的混合仓、包覆所述混合仓的支撑框架，所述支撑框架上设有围绕于所述混合仓周边的电磁感应线圈，所述电磁感应线圈外接交流电源。4.根据权利要求3所述的采用电磁加热的CVD设备，其特征在于:所述混合仓包括位于底端的进气部、与进气部连接且位于顶端并形成所述混合腔的的混合部，所述进气部容纳于所述支撑框架内，所述进气部内设有若干与所述混合部气路连通的进气腔道，所述喷气嘴设于所述混合部...
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