用于气相沉积工艺的反应腔室制造技术

本发明专利技术实施例解决的技术问题是提供一种用于气相沉积工艺的反应腔室，包括：托盘，其上表面用于放置衬底；腔室侧壁，环绕所述托盘一周，还包括：构件，至少有一部分环绕所述托盘的边缘，所述构件用于改进托盘的边缘的气流场、温度场或浓度场的均匀性。本发明专利技术实施例提高了反应腔室中的托盘上尤其是托盘边缘处的气流场、温度场或浓度场的均匀性，提高了衬底上形成的外延材料层的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及沉积设备，特别涉及用于气相沉积工艺的反应腔室。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石处女地或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。图1为现有技术的MOCVD设备的反应腔室的结构示意图。所述反应腔室包括:托盘10，具有上表面11和与上表面11相对的下表面12,所述上表面11用于放置衬底,所述下表面12形成一凹槽；气体供给装置30，位于所述托盘10的上表面的上方，所述气体供给装置30用于向衬底提供反应气体；腔室侧壁20，环绕所述托盘10 —周，所述腔室侧壁20与托盘10边缘之间构成排气通道，反应后的气体自所述排气通道流向反应腔室的外部；腔室顶盖40，位于所述腔室侧壁20和气体供给装置30的上方，腔室顶盖40与腔室侧壁20限定了反应腔室的空间，并且实现了反应腔室与外部的隔离；加热单元50，位于托盘10的下表面的凹槽下方，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于气相沉积工艺的反应腔室，包括：托盘，其上表面用于放置衬底；腔室侧壁，环绕所述托盘一周；其特征在于，还包括：构件，至少有一部分环绕所述托盘的边缘，所述构件用于改进托盘的边缘的气流场、温度场或浓度场的均匀性。

【技术特征摘要】
1.一种用于气相沉积工艺的反应腔室，包括:托盘，其上表面用于放置衬底；腔室侧壁，环绕所述托盘一周；其特征在于，还包括:构件，至少有一部分环绕所述托盘的边缘，所述构件用于改进托盘的边缘的气流场、温度场或浓度场的均匀性。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述托盘具有与上表面相对的下表面，所述构件沿所述上表面向下表面方向的厚度逐渐减小。3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述构件与托盘之间构成排气通道，所述构件具有朝向所述托盘的一侧的侧表面，所述构件的侧表面为平滑过渡。4.如权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述构件的侧表面为内凹的弧面。5.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述构件与托盘之间构成排气通道，所述构件具有朝向托盘的一侧的侧表面，所述侧表面为内凹的弧面。6.如权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述侧表面延伸到所述上表面所在平面的上方。7.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述构件与腔室侧壁之间构成排气通道，所述构件具有朝向腔室侧壁一侧的侧表面，所述侧表面为外凸的弧面。8.如权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述侧表面不超过托盘的上表面。9.如权利要求5或7所述的反应腔室，其特征在于，所述托盘具有与上表面相对的下表面，所述侧表面延伸到所述下表面所在平面的下方。10.如权利要求2、5、7中任一权利要求所述的反应腔室，其特征在于，所述托盘的上表面的边缘与托盘的侧面之间为弧面过渡。11.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述构件具有朝向托盘一侧的侧表面，所述构件的侧表面对光线的反射率不小于腔室侧壁对光线的反射率。12.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述构件具有朝向托盘一侧的侧表面，所述构件的侧表面对光线的反射率不小于托盘的边缘对光线的反射率。13.如权利要求11或12所述的反应腔室，其特征在于，所述构件的侧表面的粗糙度不超过0.008微米，以便所述构件的侧表面形成镜面，对光线的反射为镜面反射。14.如权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙仁君，左然，何晓崐，叶芷飞，谭华强，田益西，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：