【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于PECVD设备的冷却
，具体地说是一种冷却进气布局结构。
技术介绍
随着经济建设的快速发展，微电子技术得到了迅猛地发展，PECVD等离子体处理设备的开发和使用也日益广泛。PECVD即为等离子体增强化学气相沉积法，在化学气相沉积时，为了使化学反应能在较低的温度下进行，可以利用了等离子体的活性来促进反应，这种化学气相沉积方法称为等离子体增强化学气相沉积法，实施该种加工方法的设备为PECVD设备。用于太阳能领域等薄膜沉积系统主要为大型平板式PECVD设备，一种典型的板式PECVD系统将多个太阳能电池片装入载板中，将该载板传输至工艺腔内，预热到设定温度后，通入工艺气体，设定功率离化工艺气体产生等离子体，进而完成薄膜沉积。但是现有的大型平板式PECVD设备存在加热温度高，在PECVD机台上沉积减反射层时反应温度在350 450°C，每隔一定间隔需要进行更换石英管等维护工作，现在通常将上盖打开进行冷却，但是仍然需要3个小时以上，存在冷却速度慢，维护周期长，严重影响产能等缺点。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种冷却进气布局结构，该结构结构简单、可以实现快速冷却。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案一种冷却进气布局结构，包括真空腔体、法兰、进气法兰槽及进气管，其中真空腔体的底部设有法兰，所述进气管的一端穿过法兰和真空腔体的底部插入真空腔体内，进气管的另一端通过与法兰连接的进气法兰槽固定于真空腔体的底部。所述进气管位于真空腔体内部的端口对准真空腔体的侧壁。所述进气管位于真空腔体内部端口的轴心与真空腔体底部表面的距离为20mm...
【技术保护点】
一种冷却进气布局结构，其特征在于：包括真空腔体(3)、法兰(2)、进气法兰槽(1)及进气管(4)，其中真空腔体(3)的底部设有法兰(2)，所述进气管(4)的一端穿过法兰(2)和真空腔体(3)的底部插入真空腔体(3)内，进气管(4)的另一端通过与法兰(2)连接的进气法兰槽(1)固定于真空腔体(3)的底部。
【技术特征摘要】
1.一种冷却进气布局结构，其特征在于包括真空腔体(3)、法兰(2)、进气法兰槽(I)及进气管(4)，其中真空腔体(3)的底部设有法兰(2)，所述进气管(4)的一端穿过法兰(2)和真空腔体(3)的底部插入真空腔体(3)内，进气管(4)的另一端通过与法兰(2)连接的进气法兰槽(I)固定于真空腔体(3)的底部。2.按权利要求1所述的冷却进气布局结构，其特征在于所述进气管(4)位于真空腔体⑶内部的端口对准真空腔体⑶的侧壁。3.按权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷震霖，赵崇凌，李士军，张健，张冬，洪克超，徐宝利，钟福强，陆涛，许新，王刚，刘兴，张妍，王学敏，李松，屈秋霞，张缔，朱龙来，徐浩宇，赵科新，闫用用，
申请(专利权)人：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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