一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种防回流的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；气路部件包括第一管道和第二管道，第一管道和第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道与沉积室相连；第一管道和第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，反应气体源瓶设置在第一管道和第二管道上靠近沉积室的一端。本发明专利技术还提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法。本发明专利技术提高了原子层沉积设备化学试剂的利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象，同时减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，降低沉积反应周期时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及。
技术介绍
原子层沉积设备工作时，一个沉积周期往往包括四个阶段第一化学反应气体进入沉积室反应、第一清理气体清洗沉积室、第二化学反应气体进入沉积室反应、第二清理气体清洗沉积室，在这四个阶段，都会涉及到通入气体及抽取气体的过程。现有的原子层沉积设备包含使用了多个阀的同步致动的化学试剂输送支管，即第一化学反应气体、第一清理气体、第二化学反应气体和第二清理气体都位于同一气路通道上，每个气体源瓶由相应的阀门控制，在这样的系统中，由于阀本身不可能实现完全的同步致动，因此，不可能真正做到消除流量偏移，且这些不可避免的流量偏移会发生回流，产生对沉积产品质量不利的化学试剂混合，影响器件的沉积效果。现有结构如图1所示。为了提高原子层沉积设备的产品性能，消除流量偏移，尽可能减少气体回流，避免化学试剂的污染对沉积带来的不良影响，需要对传统的原子层沉积设备的反应气体的输送结构进行重新设计，满足待加工器件对沉积效果越来越高的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防回流的原子层沉积设备，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防回流的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室，其特征在于：所述气路部件包括第一管道和第二管道，所述第一管道和所述第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道，所述公共管道与所述沉积室相连；所述第一管道和所述第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，所述清理气体源瓶设置在所述第一管道和所述第二管道上靠近所述沉积室的一端。

【技术特征摘要】
1.一种防回流的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室，其特征在于所述气路部件包括第一管道和第二管道，所述第一管道和所述第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道，所述公共管道与所述沉积室相连；所述第一管道和所述第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，所述清理气体源瓶设置在所述第一管道和所述第二管道上靠近所述沉积室的一端。2.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于所述反应气体源瓶和所述清理气体源瓶分别设有直接控制相应源瓶的阀门，所述反应气体源瓶与所述清理气体源瓶之间的管道上设有阀门，所述第一管道与所述第二管道与所述公共管道的交接处分别设有阀门。3.如权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于所述控制部件包括计算机和数据处理模块；所述计算机与所述数据处理模块连接，所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接； 其中，所述计算机，用于显示系统操作界面、接收外部命令、显示系统各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；所述数据处理模块，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。4.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述数据处理模块连接。5.如权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于所述真空部件中的压力传感器和真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕，李勇滔，夏洋，赵章琰，石莎莉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：