【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical Vapor D印osition,简称CVD)是反应物质在气态条件下 发生化学反应,生成固态物质沉积在固态基底表面,进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积设备在化学气相沉积制程中起着重要作用,它直接影响着沉积薄膜 的均勻性与纯度,薄膜颗粒大小一致性以及沉积薄膜速率等。化学气相沉积设备通常包括 进气装置、抽气装置以及反应器,该反应器内设置有用于放置基板的载具。使用时,进气装 置将混合气体通入反应器,混合气体充满整个反应器,混合气体在光源或热源等作用下发 生反应沉积在基板表面,从而在基板表面生成一层薄膜。然而,现有化学气相沉积设备中混 合气体由进气装置自设在反应器一端的气体输入口输入,自另一端被抽气装置抽出,整个 反应器中的气体仅有一个气体输入口输入,使得反应器内的气体密度很难保持均勻,导致 基板上形成的膜厚不均勻。
技术实现思路
鉴在上述状况,有必要提供一种薄膜沉积均勻的化学气相沉积设备。一种化学气相沉积装置,其包括反应器、与反应器连接的进气装置及抽气装置,该 反应器内设置有承载装置,所述进气装置包括多个分布在反应器内的气体喷嘴。该化学气相沉积设备通过设置多个气体喷嘴使反应气体由多个气体喷嘴输入,反 应气体在反应器中的分布较为均勻,从而使化学气相沉积所形成的薄膜的厚度较均勻。附图说明图1为本专利技术实施方式的化学气相沉积设备的立体组装图。图2为图1的化学气相沉积设备的立体分解图。图3为图1的化学气相沉积设备另一角度的立体分解图。图4为图1的化学气相沉积设备的进气装置的立体分解图。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:裴绍凯,
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司,鸿海精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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