化学汽相沉积设备制造技术

一种能够通过延长清洁循环而改进产量的化学汽相沉积设备，该设备包括：具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室；具有多个第一源供应孔的腔室盖，所述腔室盖安装在腔室上方；用于提供处理源至多个第一源供应孔的多个源供应管；具有多个第二源供应孔的喷射管支撑件，所述多个第二源供应孔对应于多个第一源供应孔，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在腔室盖中；以及具有多个第三源供应孔和多个源喷射孔的多个源喷射管，所述多个源喷射管由喷射管支撑件支撑，其中所述多个第三源供应孔由多个第二源供应孔提供处理源，所述多个源喷射孔喷射处理源到基板上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学汽相沉积设备，更具体地，涉及一种能够通过延长清洁循环 而改进产量的化学汽相沉积设备。
技术介绍
通常使用诸如溅射等的利用物理反应的物理汽相沉积(PVD)方法、或使用利用化 学反应的化学汽相沉积(CVD)方法在太阳能电池、半导体器件或平板显示面板的基板(例 如，晶片、塑料基板或玻璃)上沉积具有预定厚度的薄膜。如用CVD方法，首先给处理腔室提供气态组分材料，接下来通过化学反应在基板 (或晶片)上沉积所需的薄膜。与PVD方法相比，由于CVD方法的优势在于获得例如基板上 薄膜的优良的台阶覆盖这样的优良沉积特性以及优良的均勻性和产量，因此CVD方法广泛 地应用于许多领域。CVD方法可以主要分类为低压化学汽相沉积(LPCVD)、常压化学汽相沉 积(APCVD)、低温化学汽相沉积(LTCVD)、等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)和金属有机 化学汽相沉积(MOCVD)。图1表示根据现有技术的化学汽相沉积设备。如图1所示，根据现有技术的化学汽相沉积设备包括具有支撑基板12的基板支 撑件14的腔室10 ；安装在腔室10上方的腔室盖20 ；和向基板12喷射处理源的源喷射组件 30，其中源喷射组件30安装在腔室10的内部并贯穿腔室盖20。腔室10提供预定的反应空间。腔室10的一侧有排出处理源的排气孔(未示出)。基板支撑件14安装在腔室10内的底部，基板支撑件14支撑从外部提供的基板 12。腔室盖20安装在腔室10的上方，腔室盖20密封腔室10的反应空间。这里，可在 腔室10与腔室盖20之间安装密封件15。源喷射组件30包括源供应管32、多个源喷射管34和多个源喷射孔36。源供应管32贯穿腔室盖20，源供应管32分支为多个支管以与多个源喷射管34连ο多个源喷射管34以固定的间隔设置在腔室10内，多个源喷射管34与源供应管32 的分支的支管连通，由此从源供应管32提供处理源到多个源喷射管34。多个源喷射孔36以固定的间隔设置在各个源喷射管34中，由此通过多个源喷射 孔36将供应到源喷射管34的处理源(S)喷射到基板12上。在根据现有技术的化学汽相沉积设备中，腔室10的内部保持恒定的温度，由源喷 射组件30喷射处理源到反应空间，由此在基板12上沉积薄膜材料。若应用上述薄膜沉积处理，则薄膜材料沉积到基板12上且沉积到不期望的部分 上。例如，薄膜材料可能沉积到腔室10的内壁上、基板支撑件14的除了支撑基板12的部 分之外的上表面和/或侧表面的预定部分上以及源喷射组件30的下表面上。特别是，如果 薄膜材料沉积到源喷射孔36的周围，则可能改变源喷射孔36的大小，以致很难在基板12 上形成均勻的薄膜。为了在基板12上形成均勻的薄膜，必须周期性地清洁源喷射孔36的周围，以此从 源喷射孔36的周围除去薄膜材料。然而，只要在需要进行上述清洁处理时，就必须关闭根据现有技术的化学汽相沉 积设备。接下来，在拆卸化学汽相沉积设备后，将源喷射组件30与腔室盖20分离，随后进 行清洁处理，以从源喷射孔36的周围除去薄膜材料。这些复杂的清洁步骤不可避免地造成 设备的可操作时间的减少，从而降低了设备的可操作性。另外，完成源喷射组件30的清洁 步骤后，需要额外的步骤以从腔室10的内部除去湿气和异物，并将腔室10的内部调整至稳 定的压力和温度。还有，需要在模型基板上进行测试沉积处理，以检查基板上沉积的薄膜中 的均勻性和颗粒污染程度，由于测试沉积步骤耗费许多小时，因而导致了产量的下降。最后，考虑到产量问题，最好尽可能长地延长源喷射组件30的清洁循环。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种基本上避免了由现有技术的缺陷与不足造成的一或多个问 题的化学汽相沉积设备。本专利技术的一个优点是提供一种能够通过延长清洁循环而改进产量的化学汽相沉 积设备。本专利技术的其它特点和方面将在随后的说明书中列出，对本领域的普通技术人员来 说，通过对下文的检验，这些特点和方面的一部分是显而易见的或者可以从本专利技术的实施 领会。通过说明书文字部分、权利要求书以及所附附图中特别指出的结构，可以领会与获得 本专利技术的目的和其它优点。为了获得这些和其它优点并根据本专利技术的目的，如此处所体现与概括描述的，提 供一种化学汽相沉积设备，包括具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室；具有多个第一 源供应孔的腔室盖，所述腔室盖安装在腔室上方；用于提供处理源至多个第一源供应孔的 多个源供应管；具有多个第二源供应孔的喷射管支撑件，所述多个第二源供应孔对应于多 个第一源供应孔，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在腔室盖中；以及具有多个第三源供应 孔和多个源喷射孔的多个源喷射管，所述多个源喷射管由喷射管支撑件支撑，其中所述多 个第三源供应孔由所述多个第二源供应孔提供处理源，所述多个源喷射孔设置为喷射处理 源到基板上。这里，所述腔室盖包括底座，在所述底座中形成多个第一源供应孔；支撑件安装 部分，在所述支撑件安装部分中可拆卸地安装所述喷射管支撑件，所述支撑件安装部分形 成在底座的背面；以及冷却组件安装部分，在所述冷却组件安装部分中安装用于冷却喷射 管支撑件的温度的冷却组件，所述冷却组件安装部分形成在底座中。根据本专利技术的另一方面，提供一种化学汽相沉积设备，包括具有用于支撑基板的 基板支撑件的腔室；安装在腔室上方的腔室盖；用于将外部提供的处理源喷射到基板上的源喷射组件，所述源喷射组件可拆卸地安装在腔室盖中；以及用于冷却源喷射组件的温度 的冷却组件，所述冷却组件安装在腔室盖内部。这里，所述腔室盖包括底座；用于提供处理源至源喷射组件的多个第一源供应 孔，所述多个第一源供应孔是通过贯穿底座以固定的间隔来形成的；支撑件安装部分，在所 述支撑件安装部分中可拆卸地安装源喷射组件，所述支撑件安装部分形成在底座的背面； 以及冷却组件安装部分，在所述冷却组件安装部分中安装冷却组件，所述冷却组件安装部 分形成在底座中。另外，所述源喷射组件包括以固定间隔设置的多个源喷射管；用于支撑多个源 喷射管的喷射管支撑件，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在底座中；形成在喷射管支撑件 中的多个第二源供应孔，所述多个第二源供应孔对应于多个第一源供应孔；形成在各个源 喷射管中的多个第三源供应孔，所述多个第三源供应孔对应于多个第二源供应孔；以及用 于喷射处理源到基板上的多个源喷射孔，所述多个源喷射孔以固定间隔形成在各个源喷射 管中。此外，所述化学汽相沉积设备还包括具有多个开口的护罩，所述多个开口对应于 多个源供应管，所述护罩可拆卸地安装在腔室盖的背面。应当理解本专利技术的前述概括性描述和随后的详细描述都是示例性和解释性的，意 在提供如权利要求所保护的本专利技术的进一步解释。附图说明所包含的用于提供对专利技术的进一步的理解以及被包括在本申请中和组成本申请 的一部分的附解了本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图 中图1表示根据现有技术的化学汽相沉积设备。图2是表示根据本专利技术的实施例的化学汽相沉积设备的透视图。图3是表示根据本专利技术的实施例的化学汽相沉积设备中的腔室的上部结构的透 视图。图4是表示图3所示腔室的上部结构的分解透视图。图5A和5B是表示图4所示腔室盖的透视图。图6是表示图4所示源喷射组件的分解透视图。图7是沿图3的A-A的截面图。具体实施例方式现在将具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学汽相沉积设备，包括：　　具有用于支撑基板的基板支撑件的腔室；　　具有多个第一源供应孔的腔室盖，所述腔室盖安装在所述腔室上方；　　用于提供处理源至所述多个第一源供应孔的多个源供应管；　　具有多个第二源供应孔的喷射管支撑件，所述多个第二源供应孔对应于所述多个第一源供应孔，所述喷射管支撑件可拆卸地安装在所述腔室盖中；以及　　具有多个第三源供应孔和多个源喷射孔的多个源喷射管，所述多个源喷射管由所述喷射管支撑件支撑，其中所述多个第三源供应孔由所述多个第二源供应孔提供所述处理源，所述多个源喷射孔喷射所述处理源到所述基板上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴商基，河政旼，黄成龙，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]