化学气相沉积设备制造技术

一种化学气相沉积设备，包括：反应腔盖板，若干喷头、位置固定件以及连接杆，所述连接杆的一端与喷头固定连接，另一端贯穿所述反应腔盖板，通过位置固定件连接在反应腔盖板的外表面。反应腔盖板外表面上设置有凹槽，连接杆贯穿所述凹槽。所述方案克服了现有技术中调节喷头时必须打开反应腔的缺陷，避免了现有技术打开反应腔调整喷头位置所浪费的机台升降温的时间，减少了机台的闲置时间，提高了利用效率。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造^t支术领域，特别涉及一种化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)设备以其可制造薄膜均匀，覆盖性好特点成为半 导体器件制造工艺中的常用制膜设备，在CVD法中，先分解气态原料，然后 反应，从而沉积薄膜。化学气相沉积反应通常都在沉积设备的反应腔中进行的，化学气相沉积 设备的结构是多种多样的，例如申请号为200610078524.8的中国专利申请给出 的三种现有的化学气相沉积设备的结构图。但是，无论怎样的化学气相沉积 设备，都包括反应腔，所述的反应腔内，都具有用于将反应气体注入晶圆表 面的一个或者一个以上的喷头。参考附图1所示，为现有的 一种化学气相沉积设备的反应腔上部的截面结 构示意图，如图中所示，IOO为反应腔室的一个反应腔盖板，110为反应腔盖 板上连接的若干喷头中的一个，反应气体通入反应腔之后，通过喷头110将反 应气体均匀的注入到晶圓的表面。所述喷头110通过连接杆130与反应腔盖板 IOO相连接，所述的每个连接杆130上都设置有位置固定件140，用于调节喷头 的位置，附图中管道120为通入反应气体的管道。通常，反应腔内还包括位于 反应腔下部的加热体以及位于加热体上的支撑体，支撑体用于放置晶圆，所 述加热体用于对反应腔内以及晶圆加热。在化学气相沉积反应中，要求喷头与晶圆表面平行，以在晶圓表面得到 厚度均匀的膜层，当晶圆表面膜层厚度分布不均时，这就需要调节喷头的位 置，以使其保持与晶圆表面平行的状态。现有技术中，由于喷头和用于调节喷头位置的位置固定件都位于反应腔内，需要调节喷头位置时，通常要打开 反应腔。由于反应腔内的温度较高，通常达到400摄氏度左右，每次打开反应 腔后，需要较长的时间冷却设备，如果冷却的时间不够，设备维护人员调整 反应腔内喷头的位置时，还需要穿着专门的服装以及手套进行防护，以防止 烫伤。因此，现有的化学气相沉积设备在设备调试和维修时不仅存在安全的 隐患，而且操作不便，浪费时间。
技术实现思路
有鉴于此，本技术解决的技术问题是提供一种化学气相沉积设备， 以解决现有技术中化学气相沉积设备调整喷头位置时必须打开反应腔的缺 陷。一种化学气相沉积设备，包括反应腔盖板，若干喷头、位置固定件以 及连接杆，所述连接杆的一端与喷头固定连接，另一端贯穿所述反应腔盖板， 通过位置固定件连接在反应腔盖板的外表面。其中，反应腔盖板外表面上设置有凹槽，连接杆贯穿所述凹槽。其中，还包括密封件，设置在反应腔盖板的凹槽内。其中，所述密封件为动态的密封件。其中，所述连接杆为陶瓷。与现有技术相比，上述方案具有以下优点本实施例提供的化学气相沉积装置，对现有的化学气相沉积设备进行简 单的改进，克服了现有技术中调节喷头时必须打开反应腔的缺陷，避免了现 有技术打开反应腔调整喷头位置所浪费的机台升降温的时间，减少了机台的 闲置时间，提高了利用效率。而且，避免了现有技术中机台打开后的高温环 境对操作人员的影响。而且，采用本实施例所述的化学气相沉积装置，调节 方法简单准确。附图说明图1为现有技术所述的化学气相沉积设备的截面结构示意图3为本技术实施例所述的位置固定件的截面结构示意图； 图4为本技术实施例的晶圆表面厚度分布示意图。具体实施方式'为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合 附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。本技术的目的在于提供一种化学气相沉积设备，以解决现有技术中 化学气相沉积设备调整喷头位置时必须打开反应腔的缺陷，以降低设备维修 时间，消除设备对设备维护和检修人员的安全隐患。一种化学气相沉积设备，包括反应腔盖板，若干喷头、位置固定件以及 连接杆，所述连接杆的一端与喷头固定连接，另一端贯穿所述反应腔盖板， 通过位置固定件连接在反应腔盖板的外表面。其中，反应腔盖板外表面上设 置有凹槽，连接杆贯穿所述凹槽，其中，还包括密封件，设置在反应腔盖板 的凹槽内。参考附图2所示，为本实施例提供的化学气相沉积设备反应腔上部的截 面结构示意图。如图2所示，包括反应腔盖板200,所述反应腔盖板位于反应 腔室的上部，所述的上部，指的是化学气相沉积设备进行沉积时，通入反应 气体的位置，通常，与晶圆要进行化学气相沉积的表面对应。与现有技术的 反应腔盖板相同，所述反应腔盖板上还可能含有其它的各种设备与管路，例 如附图中用于通入反应气体以及射频电子的管路220，为了描述的方便以及附 图的简单清晰，与本实施例的具体实施方案无明显联系的装置，在本实施例 的附图中略去不画。喷头210,设置在反应腔盖板的下面，所述喷头210与现有技术中的喷头 相同，内部设置若干均匀排列的分配孔(未具体示出)，当反应气体通过管路5220进入喷头210时，通过喷头中的分配孔，从喷头中均匀注入到晶圆的表面。 所述喷头的数量通常大于1个，在本实施例中，较好的，所述喷头的数量为6 -8个。所述喷头的材料可以是本领域技术人员熟悉的任何喷头材料，例如铝 材料。连接杆230，所述的连接杆作用在于将喷头210连接在反应腔盖板200上， 并使喷头210的平面位置可调节。由于进行化学气相沉积时所述喷头210应 该与晶圆表面水平，因此，每一个喷头上连接的连接杆的数量至少为3个， 最佳的，所述连接杆的数量为3个。如附图2中所示，连接杆230的一端与 喷头210成固定连接，另一端，贯穿反应腔盖^反200，并在反应腔盖4反的上表 面通过位置固定件240固定在反应腔盖板上。此处所述反应腔盖板的上表面 指附图2中背对喷头的位置，表面200a，在实际的化学气相沉积设备中，所 述的上表面即为反应腔的外表面，当反应腔闭合进4亍化学气相沉积反应时， 反应腔的外表面暴露空气中，不打开反应腔即可方便的调节位于反应腔外表 面的位置固定件，下表面200b为反应腔的内表面。也就是说，所述连接杆230 贯穿反应腔盖板200,在反应腔的外表面通过位置固定件240连接在反应腔盖 板200上。所述连接杆230的材料较好的为陶瓷材料。所述位置固定件240可以是现有技术中任何可以起到微调作用的结构件 或者装置，例如，微调螺钉，所述位置固定件240在将所述连接件的另一端 固定在反应腔盖板上表面的同时，可以通过调整所述位置固定件240对喷头 的表面位置进行调节，进行化学气相沉积时，使其与晶圆表面平行。参考附图3所示，为本实施例一种位置固定件的截面结构示意图，如图 所示，所述位置固定件包括螺母300、贯穿螺母300的第二杆320,所述第二 杆320的一端连接在反应腔盖板的上表面，还包括垂直连接在第二杆320上 的第一杆310,所述第一杆310的另一端设置有用于嵌套在连接杆上的连接件330。通过旋转螺母300沿第二杆上下移动，调整第一杆310的高度，从而带 动连接杆上下移动。由于进行化学气相沉积反应时，反应腔内部为真空状态，因此，必须保 证连接杆230贯穿反应腔盖板200后，化学气相沉积反应时连接杆230与反 应腔盖板200的接触面不会漏气，因此，在连接杆230与反应腔盖板200的 接触面上设置密封件250，所述密封件可以是现有技术中常规的耐高温动态密 封件(dynamic seal )，可以在市场上购买得到。所谓动态的密封件，就是说密 封件在满本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积设备，包括：反应腔盖板，若干喷头、位置固定件以及连接杆，其特征在于，所述连接杆的一端与喷头固定连接，另一端贯穿所述反应腔盖板，通过位置固定件连接在反应腔盖板的外表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]