【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备,特别是涉及一种化学气相沉积过程的反应腔室。
技术介绍
现有的化学气相沉积工艺通常是将衬底放置于反应腔室上,所述反应腔室上方设置进气装置,例如喷淋头,用于向衬底提供沉积反应用的源气体。具体的,请参考图1,其为现有技术中的反应腔室的示意图。所述反应腔室包括腔体1、设置在所述腔体I顶部的喷淋头2和设置在所述腔体I底部且与所述喷淋头2相对设置的托盘3。所述托盘3用于承载衬底5a、5b、5c。所述反应腔室还包括位于所述托盘3下方的加热器4,用于对托盘3进行加热使得衬底达到沉积反应所需要的温度。未反应的源气体以及反应后剩余的气体沿托盘3表面向托盘3边缘流动,经由相关管道传送至尾气装置。随着衬底尺寸的增大和衬底数目的增多,托盘3的尺寸增大,托盘3的中间部位和托盘3的边缘部位的温度不均匀的问题就日益凸显。这是由于托盘3的边缘部分向周围的散热比托盘3的中间部分的散热要严重,从而会造成托盘3的边缘部分的温度偏低;此外,大量的未反应的气体以及反应后剩余的气体从托盘3边缘向托盘3下方流动(如图1中箭头所示),会带走大量的热量,也会造成托盘3的边缘部分的温度比托 ...
【技术保护点】
一种反应腔室,包括腔体、设置在所述腔体顶部的喷淋头和设置在所述腔体底部且与所述喷淋头相对设置的托盘,所述托盘下方具有加热器;其特征在于,所述反应腔室还包括保温结构,所述保温结构环绕在所述托盘周围。
【技术特征摘要】
1.一种反应腔室,包括腔体、设置在所述腔体顶部的喷淋头和设置在所述腔体底部且与所述喷淋头相对设置的托盘,所述托盘下方具有加热器;其特征在于,所述反应腔室还包括保温结构,所述保温结构环绕在所述托盘周围。2.如权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述保温结构为围绕所述托盘的环型结构。3.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述保温结构的材料的热传导系数小于所述托盘的材料的热传导系数。4.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述保温结构朝向托盘一侧的表面的反射率大于所述托盘朝向所述保温结构一侧的表面的反射率。5.如权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述保温...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁秉文,
申请(专利权)人:光达光电设备科技嘉兴有限公司,
类型:发明
国别省市:
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