薄膜沉积系统及薄膜沉积方法技术方案

本发明专利技术公开一种薄膜沉积系统及薄膜沉积方法，薄膜沉积系统，可用以在一个或多个基板上形成一层或多层的材料层，该薄膜沉积系统包括有一真空室及位于真空室的喷气单元。真空室的腔壁上设置有一腔门，并可在真空状态下对真空室的一个或多个基板进行装载及卸载。连接喷气单元的驱动装置可驱动喷气单元在真空状态下于第一位置及第二位置之间位移。当喷气单元位于第一位置时，可经由腔门进行一个或多个基板的装载及卸载，而当喷气单元位于第二位置时，喷气单元将会限制真空室的腔门的进出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜沉积系统，特别涉及一种使用真空室在基板上沉积薄膜的系统。
技术介绍
薄膜沉积被广泛的使用在各种物体的表面处理，例如珠宝、餐具、工具、模具及/或半导体元件。在金属、合金、陶瓷及/或半导体的表面形成同种或异种合成物的薄膜，将可提升及改善其特性，例如可改善耐磨性、耐热性及/或耐腐蚀性。一般而言，薄膜沉积的方法可至少被区分成两个
，即物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)及化学气相沉积(Chemical VaporDeposition, CVD)。视沉积的技术及工艺参数而定，薄膜沉积物可具有晶态结构、多晶结构或非晶态结构。晶态结构及/或多晶结构的薄膜通常会形成如磊晶层般的构造，并成为半导体或积体电路工艺中的重要构造。例如磊晶层可为半导体层并于制作的过程中进行掺杂，而在(真空)状态下形成掺杂物，以避免氧或碳的杂质造成的污染。有机金属化学气相沉积(metal-organicchemical vapor deposition, MOCVD)为化学气相沉积工艺的一种形态。对有机金属化学气相沉积而言，会使用一种或多种输送气体将一种或多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜沉积系统，用以在一个或多个基板上形成一层或多层材料层，该薄膜沉积系统包括有：一真空室；一喷气单元，位于该真空室内；一腔门，位于该真空室的腔壁上，其中该腔门容许在真空状态下，一个或多个基板在该真空室内进行装载及卸载；及一驱动装置，连接于该喷气单元，其中该驱动装置设置成在真空状态下使该喷气单元在一第一位置及一第二位置之间移动；其中当该喷气单元位于该第一位置时，该一个或多个基板经由该腔门进行装载及卸载，而当该喷气单元位于该第二位置时，该喷气单元限制该真空室内的腔门的进出。

【技术特征摘要】
2011.10.26 US 13/282,1251.一种薄膜沉积系统，用以在一个或多个基板上形成一层或多层材料层，该薄膜沉积系统包括有: 一真空室； 一喷气单元，位于该真空室内； 一腔门，位于该真空室的腔壁上，其中该腔门容许在真空状态下，一个或多个基板在该真空室内进行装载及卸载；及 一驱动装置，连接于该喷气单元，其中该驱动装置设置成在真空状态下使该喷气单元在一第一位置及一第二位置之间移动； 其中当该喷气单元位于该第一位置时，该一个或多个基板经由该腔门进行装载及卸载，而当该喷气单元位于该第二位置时，该喷气单元限制该真空室内的腔门的进出。2.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，在该一个或多个基板上形成该材料层的过程中，该喷气单元位于该第二位置，而将该腔门与该真空室的内部隔绝开，并在该真空室内提供稳定的流场。3.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该腔门位于该真空室的一反应区外。4.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，当该喷气单元位于该第一位置时，容许一机器手臂进出该真空室，而对该真空室的一个或多个基板进行装载及卸载。5.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该驱动装置包括至少一真空伸缩管，且该真空伸缩管连接 于该喷气单元。6.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包括有一个或多个基板承载单元位于该真空室内，并用以承载该一个或多个基板。7.根据权利要求6所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包括一抬升装置，连接于该至少一基板承载单元，其中该抬升装置设置成使该基板承载单元在一较高位置及一较低位置之间移动，当该基板承载单元位于该较高位置时，该基板承载单元经由该腔门进行装载及卸载，而当该基板承载单元位于该较低位置时，则在该一个或多个基板上形成该材料层。8.根据权利要求7所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该抬升装置包至少一真空伸缩管。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成傑，
申请(专利权)人：绿种子材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：