一种气相沉积装置及其加热系统，加热系统包括：一第一加热元件；一第二加热元件，与第一加热元件之间具有一第一距离；以及一隔绝元件，承载第一加热元件，隔绝元件包括至少一第一隔离柱位于第一加热元件与第二加热元件之间；其中，第一加热元件产生形变移动至少一第一隔离柱，避免该第一加热元件与该第二加热元件接触。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种气相沉积装置及其加热系统，加热系统包括：一第一加热元件；一第二加热元件，与第一加热元件之间具有一第一距离；以及一隔绝元件，承载第一加热元件，隔绝元件包括至少一第一隔离柱位于第一加热元件与第二加热元件之间；其中，第一加热元件产生形变移动至少一第一隔离柱，避免该第一加热元件与该第二加热元件接触。【专利说明】气相沉积装置及其加热系统
本专利技术涉及一种加热系统，且特别涉及一种气相沉积装置中的加热系统。
技术介绍
薄膜沉积广泛应用于各种物品的表面工艺中，例如珠宝、餐具、工具、模制品及半导体元件。通常金属、合金、陶瓷或半导体表面形成同质或异质成份的薄膜。薄膜沉积技术一般被区分为二种类别，即物理气相沉积与化学气相沉积。根据沉积技术及工艺参数不同，沉积的薄膜可具有单晶、多晶或非晶体的不同结构。单晶及/或多晶薄膜形成对于半导体元件及集成电路制造而言十分重要的磊晶(外延)层。举例来说，磊晶层可由半导体层构成且在磊晶层形成的同时进行掺杂，以防止氧及或碳杂质污染的条件(例如真空条件)下形成掺质分布。在某些工艺中，金属有机化学气相沉积法(MOCVD)形成的磊晶层常用于制造发光二极管。金属有机化学气相沉积法形成的发光二极管的品质受到各种因素的影响，例如，反应腔体内的气体流动稳定度或均匀度、通过基板表面的气体流均匀度，及/或温度控制的精确度。这些参数的变化可能会影响形成的磊晶层的品质，也即影响以金属有机化学气相沉积法所形成的发光二极管的品质。请参照图1，其所绘示为气相沉积装置示意图。气相沉积装置主要包括密闭的反应腔体(reaction chamber) 100,其中反应腔体100包括一载盘(susceptor) 106、多个承载器(holder) 104a、104b、加热系统(heating system) 108、供气装置(shower head) 102、以及中心转轴110。其中，承载器104a、104b位于承载盘106第一表面上，用以承载一个或多个芯片(wafer)。再者，于反应腔体100中进行反应时，加热系统108对承载盘106与供气装置102之间的一反应空间112进行一加热过程，以控制反应腔体100内的反应温度，此外，供气装置102提供反应材料，例如多种反应气体，加上中心转轴110旋转承载盘106。因此，可使得多种反应气体在高温下反应产生生成物，而均匀地沉积于芯片上。其中，加热系统例如有高频感应加热器、电阻丝加热器和电阻片加热器不同变化，但不论上述各种所使用的加热元件在高温下都会产生不同弯曲的形变，特别是越高温度时所造成加热元件延展弯曲更大且无法掌握其形变方向，因此可能造成不同两加热元件直接接触，而使得加热元件短路无法正常运作的情况发生。
技术实现思路
本专利技术所提出一种加热系统，包括:一第一加热兀件；一第二加热兀件，与第一加热元件之间具有一第一距离；以及一隔绝元件，承载第一加热元件，隔绝元件包括一第一隔离柱位于第一加热元件与第二加热元件之间；其中，第一加热元件产生形变移动第一隔离柱避免该第一加热元件与该第二加热元件接触。根据本专利技术所提出一种气相沉积装置，包括:一供气装置；一载盘，具有至少一承载器，每一承载器承载至少一晶圆(圆片);以及一加热系统，载盘位于供气装置与加热系统之间，加热系统进行一加热过程；其中，加热系统还包括:一加热元件；以及一隔绝元件，承载加热元件，隔绝元件包括一隔离柱位于加热元件一侧；其中，当加热元件产生形变移动第一隔离柱。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【专利附图】【附图说明】图1所绘示为现有的气相沉积装置示意图；图2A所绘示为本专利技术的加热系统示意图；图2B所绘示为本专利技术的加热系统的部分放大示意图；图3A至图3C所绘示为加热元件的不同承载方式及其弯曲形变示意图；图4A与图4B所绘示为本专利技术隔绝元件的第一实施例；图5A与图5B所绘示为本专利技术隔绝元件的第二实施例； 图5C绘示本专利技术隔绝元件的另一实施例；图6A与图6B所绘示为本专利技术加热系统的另一实施例及其局部放大示意图；图7A与图7B所绘示为本专利技术隔绝元件的第三实施例；图8A与图8B所绘示为本专利技术隔绝元件的第四实施例。其中，附图标记100:反应腔体102:供气装置104a、104b:载具106:7承载盘108:加热系统110:中心转轴112:反应空间210,220,230,240:加热元件250、350、450、550:隔绝元件252,352:第一隔离柱305、305’、310、310’:加热元件308:固定元件400、500:支撑柱406:凸出部410,420,510,520:加热元件452:圆孔454,554:承载部456、458、556、558:隔离柱502:凹洞结构512:隔热件514:隔热板552:凸出柱610、620、630、640:加热元件650:隔绝元件652:第一隔离柱700、800:底座702:支撑柱706:凸出部710、720、810、820:加热元件752:圆孔754、854:承载部758、858:隔离柱852:支撑柱【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述:请参照图2A，其所绘示为本专利技术的加热系统示意图。加热系统中包括多个环状加热元件210、220、230、240，加热元件210、220、230、240承载于隔离元件250上。此加热元件210、220、230、240可为石墨、金属、或金属合成物所构成。`再者，在反应进行下需要维持载盘与供气装置之间反应空间的温度能够尽量一致以维持稳定沉积，但由于加热系统对应到载盘不同位置的热耗损不同，例如内圈或外圈不同位置所产生热耗损不同，因此每个加热元件210、220、230、240所提供温度也不完全相同，因此加热元件210、220、230、240的二端连接至的个别电源控制单元(未绘示)所提供的电流或电压也不相同。对于加热元件210、220、230、240之间会彼此相距一固定距离不会互相接触，以避免不同电流或电压接触产生短路情况。但在加热情况下加热元件210、220、230、240仍会产生无法预知的形变，因此如图2A所示放置多个隔离元件250，其中隔绝元件250可以任意配置，并不以图2A所示为限。请参照图2B，其所绘示为图2A的加热系统的部分放大示意图。本专利技术是利用可动的隔绝元件250承载加热元件210、220、230。并且，当加热元件210、220、230由于高温产生弯曲形变时，由于隔绝元件250可以根据加热元件210、220、230的弯曲形变，而接触到隔绝元件250的第一隔离柱252，使得第一隔离柱252产生移动而适当地带动隔绝元件250旋转，以调整加热元件210、220、230的形变方向，因此，将可大幅降低加热元件直接接触的情形发生，并且有效地调整两个加热元件之间的距离。其中隔绝元件250上的第一隔离柱252的高度只要高于加热元件210、220、230的底部即可，较佳实施例则可设计第一隔离柱252的高度高于加热元件210、220、230的底部(或厚度)，以防止加热元件210、220、230形变下跨过第一隔离柱252情形。因此，当任两个加热元件弯曲形变而彼此非常靠近时，隔离柱就可以防止两个加热元本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种加热系统，其特征在于，包括：一第一加热元件；一第二加热元件，与该第一加热元件之间具有一第一距离；以及一隔绝元件，承载该第一加热元件，该隔绝元件包括一第一隔离柱位于该第一加热元件与该第二加热元件之间；其中，该第一加热元件产生形变移动该第一隔离柱，避免该第一加热元件与该第二加热元件接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨成杰，方政加，
申请(专利权)人：绿种子材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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