单晶合成金刚石材料中的位错设计制造技术

本发明专利技术涉及一种单晶CVD合成金刚石层，包括非平行的位错阵列，其中当在X射线形貌断面图中观察或在发光条件下观察时，非平行的位错阵列包含形成一组相互交叉的位错的多个位错。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·K·迪隆，N·M·戴维斯，R·U·A·卡恩，D·J·特威切恩，P·M·马蒂诺，
申请(专利权)人：六号元素有限公司，
类型：
国别省市：