【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种。
技术介绍
目前,很多半导体加工设备都采用灯加热的方法,即用加热灯照射到硅片表面或载片台上来加热硅片。但是,由于灯发出的照射光强很难做到很均匀,因此,加热的均匀性很难调节。例如,如图1所示的外延(EPI)设备,其加热系统分为上下两部分,每个部分由内(inner)、外(outer)两部分组成,但无论如何调整上、下或内、外的功率分配,都无法消除硅片上的某些高温区域,而如果硅片上温度分布不均匀,则制作的外延层厚度或参杂浓度也会不均匀。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种,它可以提高加热后硅片表面温度分布的均匀性。为解决上述技术问题,本专利技术的,包括以下步骤:1)对所述腔体进行校温,获得硅晶圆表面温度分布图形;2)制定透光挡板;3)制定与所述温度分布图形的形状相反的模板;4)将所述模板覆盖到所述透光挡板上,然后涂上涂层;5)将步骤4)制得的带涂层的透光挡板放到所述腔体内的加热灯和上石英罩的中间;6)重复步骤3) 5),调节涂层的形状,直到硅晶圆表面温度的均匀性满足要求。步骤I)中,校温的方法为:向硅晶圆中注入硼或磷,然后在所述腔体内退火;退火完成后,测定硅晶圆表面的电阻分布情况,根据温度和电阻值的关系反推出硅晶圆表面的温度分布图形。步骤4)中,所述涂层为氮化硅、硅或多晶硅中的一种。本专利技术通过在加热灯和硅片间增加特别制作的透光挡板,并在透光挡板上增加一层特殊图形的特殊涂层,使透过透光挡板及涂层到达晶圆(wafer)表面的光线强度发生变化,从而使硅晶圆表面温度高的区域的温度降低,有效改善了加热后硅晶圆表 ...
【技术保护点】
改善灯加热腔体内温度均匀性的方法,其特征在于,包括步骤:1)对所述腔体进行校温,获得硅晶圆表面温度分布图形;2)制定透光挡板;3)制定与所述温度分布图形的形状相反的模板;4)将所述模板覆盖到所述透光挡板上,然后涂上涂层;5)将步骤4)制得的带涂层的透光挡板放到所述腔体内的加热灯和上石英罩的中间;6)重复步骤3)~5),调节涂层的形状,直到硅晶圆表面温度的均匀性满足要求。
【技术特征摘要】
1.善灯加热腔体内温度均匀性的方法,其特征在于,包括步骤: 1)对所述腔体进行校温,获得硅晶圆表面温度分布图形; 2)制定透光挡板; 3)制定与所述温度分布图形的形状相反的模板; 4)将所述模板覆盖到所述透光挡板上,然后涂上涂层; 5)将步骤4)制得的带涂层的透光挡板放到所述腔体内的加热灯和上石英罩的中间; 6)重复步骤3) 5),调节涂层的形状,直到硅晶圆表面温度的均匀性满足要求。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤I)中,校温步骤为:向硅晶圆中注入硼或磷,然后在所述腔体内退火;退火完成后,测定硅晶圆表面的电阻分布情况,根据温度和电阻值的关系反推出硅 晶圆表面的温度分布图形。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述磷注入的剂量为5E13 7E13atom/cm2,能量为70KeV 90KeV ;所述硼注入的剂量为1E13 3...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚亮,于源源,刘继全,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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