化学气相沉积装置及化学气相沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积系统及方法，该系统包括第一进气口、第二进气口、第一管路分支部及第二管路分支部，第一进气口及第二进气口位于一供气装置上，第一管路分支部提供一气体至第一进气口及/或第二进气口，第一管路分支部所提供的气体以一第一流量流向第一进气口及/或以一第二流量流向第二进气口，第二管路分支部提供一气体至第一进气口及/或第二进气口，第二管路分支部所提供的气体以至少一第三流量流向第一进气口及/或第二进气口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用以形成半导体材料的系统及方法，尤其涉及一种用以形成半导体材料的化学气相沉积系统及方法，本专利技术虽以应用于形成三族元素的氮化物材料(Group-Ill nitride materials)为例,但应可理解本专利技术具有更广泛的应用范围。
技术介绍
有机金属化学气相沉积(Metal-organicchemical vapor deposition ；MOCVD)已广泛地使用于制作具有第三族/第五族材料(例如氮化招(aluminum nitride) >氮化镓(gallium nitride)、及/或氮化铟(indium nitride))的嘉晶层。有机金属化学气相沉积装置往往具有容易使用以及适用于大量制造等等特性。通常，三族元 素的氮化物材料由一或多种第三族有机金属(metal organic ；M0)气体与一或多种第五族气体所形成。其中，第三族有机金属气体亦可包括有三甲基镓(TMGa)(例如trimethylgallium((CH3)3Ga))、三乙基嫁(TEGa)(例如triethylgalIium((C2H6)3Ga)) >三甲基招(TMAl)(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积系统，其特征在于，包括：一供气装置；一或多个第一进气口，位于该供气装置上；一或多个第二进气口，位于该供气装置上；一第一管路分支部，连接至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第一管路分支部于使用期间提供至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第一管路分支部以一第一流量提供该至少一气体至该第一进气口及/或以一第二流量提供该至少一气体至该第二进气口；以及一第二管路分支部，连接至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第二管路分支部于使用期间将提供至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第二管路分支部以至少一第三流量提供该至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恒，
申请(专利权)人：绿种子材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：