薄膜沉积系统技术方案

技术编号:8268444 阅读:230 留言:0更新日期:2013-01-31 00:05
本发明专利技术公开一种薄膜沉积系统,尤指一种利用摩擦力带动承载器自转的薄膜沉积系统,包含有一载盘、一中心盘及至少一承载器。其中,中心盘的周缘具有一中心斜面,各承载器的周缘分别具有一承载斜面,利用中心斜面与承载斜面接触,可于载盘或中心盘旋转时,带动各承载器公转及/或自转。本发明专利技术提供的薄膜沉积系统,可简化系统元件的构造,增加承载器配置的致密度,提高单位时间的产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜沉积系统,尤其涉及一种利用摩擦力带动承载器自转的薄膜沉积系统。
技术介绍
薄膜沉积已被广泛应用于多种物体的表面处理,例如宝石、餐具、工具、模具、及/或半导体元件,同质或异质的薄膜形成于物体表面,用以提高耐磨、耐热及/或耐蚀等特性。薄膜沉积技术通常分为两大类,即物理气相沉积(PVD)与化学气相沉积(CVD)。依沉积技术及工艺参数的不同,沉积的薄膜可具有单晶、多晶或非晶结构。单晶薄膜经常做为集成电路工艺中非常重要的磊晶层。例如,以半导体制作磊晶层,并于成形期间植入掺杂物,以产出具有精确掺杂物且不含氧及/或碳等杂质。 化学气相沉积技术中,包含有一种称为金属有机化学气相沉积(MOCVD)的技术。在MOCVD技术中,一种或多种反应气体用以携带一种或多种气相反应物及/或前驱物(precursor)进入包含有一种或多种基板(一个或多个晶圆)的反应室。基板的背面通常以射频感应或电阻的方式加热,用以提高基板及其周围的温度,一种或多种化学反应将会产生,将一种或多种气相的反应物及/或前驱物转换为固态生成物并沉积于基板的表面。以MOCVD形成薄膜的工艺质量的优良与否,取决于反应器(r本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜沉积系统,其特征在于,包含:一载盘;一中心盘,设置于该载盘的中心位置,该中心盘的周缘具有一中心斜面;及至少一承载器,设置于该载盘上并位于中心盘外围,分别用以承载至少一基板,该至少一承载器的周缘具有一承载斜面与该中心斜面接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:于伯渊刘恒
申请(专利权)人:绿种子材料科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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