用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善化学气相沉积工艺的均匀性的方法，所述喷淋头用于向衬底提供反应气体，所述喷淋头具有端口，所述端口具有与之对应设置的窗口透明板，所述窗口透明板作为观察通道或测试通道，通过所述窗口透明板对化学气相沉积工艺进行监控，所述窗口透明板与端口之间通有吹扫气体，所述吹扫气体用于防止反应气体在窗口透明板上发生化学反应或物理沉积。本发明专利技术使得本领域技术人员能够在化学气相沉积工艺过程中对喷淋头下方的衬底的情况进行实时监控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及用于化学气相沉积设备的喷淋头和改善化学气相沉积工艺均匀性的方法。
技术介绍
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在至于石墨盘的衬底上进行沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的化学气相沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的化学气相沉积工艺设备的结构示意图。手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和石墨盘12。所述喷淋头11内可以设置多个通孔，所述喷淋头11用于提供反应气体。所述石墨盘12内具有多个凹槽，每个凹槽内对应放置一片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述石墨盘12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对石墨盘12进行加热，石墨盘12受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学气相沉积工艺的喷淋头，用于向衬底提供反应气体，其特征在于，所述喷淋头具有端口，所述端口具有与之对应设置的窗口透明板，所述窗口透明板作为观察通道或测试通道，通过所述窗口透明板对化学气相沉积工艺进行监控，所述窗口透明板与端口之间通有吹扫气体，所述吹扫气体用于防止反应气体在窗口透明板上发生化学反应或物理沉积。

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积工艺的喷淋头，用于向衬底提供反应气体，其特征在于，所述喷淋头具有端口，所述端口具有与之对应设置的窗口透明板，所述窗口透明板作为观察通道或测试通道，通过所述窗口透明板对化学气相沉积工艺进行监控，所述窗口透明板与端口之间通有吹扫气体，所述吹扫气体用于防止反应气体在窗口透明板上发生化学反应或物理沉积。2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述吹扫气体为氮气、氢气或两者的混入口 ο3.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头上还具有通孔，所述窗口透明板与端口之间还通有反应气体，使得所述端口处的反应气体的组分、流量密度与所述通孔处的反应气体的组分、流量密度一致。4.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头应用于MOCVD工艺，所述反应气体为氨气。5.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述端口的面积为所述通孔面积的I 20倍。6.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述窗口透明板用于使得原位测试装置的光学信号通过，所述原位测试装置用于测试的参数包括衬底上的外延材料层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：