喷淋头及化学气相沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种喷淋头。包括顶板和气体分配板，所述顶板与所述气体分配板之间限定气体扩散腔；所述气体分配板具有多个贯穿所述气体分配板的出气通道，连接所述气体扩散腔，所述喷淋头还包括隔板；所述隔板设置在所述顶板与所述气体分配板之间，所述隔板将所述气体扩散腔在平行所述气体分配板的平面上间隔成至少两个气体扩散区；至少两个进气管路分别独立向所述至少两个气体扩散区输入气体。如此便可有效的控制气体的分布，获得符合要求的气流场。本发明专利技术还公开了一种包括所述喷淋头的化学气相沉积设备，可以获得良好的沉积效果，得到高质量膜层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，特别是一种喷淋头及包括该喷淋头的化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积工艺中，通常是由喷淋头(showerhead),提供相应的反应气体,具体的，所述反应气体采用喷淋头在控制系统控制下提供给位于化学气相沉积设备的反应腔中的基片，所述控制系统包括多路管路，每一路管路向喷淋头提供一种反应气体，通过喷淋头的小孔实现多种反应气体到达基片上，然后在基片上生长出所需要的结构。化学气相沉积设 备的反应腔中，基片位于托盘上，基片和托盘与喷淋头相对设置。在实际生产中，位于托盘边缘的部分基片的外延工艺的生长速率小于位于托盘中心的部分基片的外延工艺的生长速率，这将导致膜层生长不均匀，达不到所需要的结构，也容易造成需要较多的反应气体，甚至额外的工艺来处理生长不均匀的问题。如果能调节托盘上方的气流场分布，可以实现利用托盘上方的气流场的分布对外延工艺的生长速率进行调节，但是目前各个小孔的气体流速一致，是无法进行调节的。目前在喷淋头中，已存在将其上的小孔设置成大小不同的结构，从而使得气体能够以不同的流量流出，但是这种设计灵活性差，比如在不同气泵功率下，就很难保证依然达到气体在流出小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷淋头，包括顶板和气体分配板，所述顶板与所述气体分配板之间限定气体扩散腔；所述气体分配板具有多个贯穿所述气体分配板的出气通道，所述出气通道连接所述气体扩散腔，其特征在于：所述喷淋头还包括隔板；所述隔板设置在所述顶板与所述气体分配板之间，所述隔板将所述气体扩散腔在平行所述气体分配板的平面上间隔成至少两个气体扩散区；至少两个进气管路分别独立向所述至少两个气体扩散区输入气体。

【技术特征摘要】
1.一种喷淋头，包括顶板和气体分配板，所述顶板与所述气体分配板之间限定气体扩散腔；所述气体分配板具有多个贯穿所述气体分配板的出气通道，所述出气通道连接所述气体扩散腔，其特征在于:所述喷淋头还包括隔板；所述隔板设置在所述顶板与所述气体分配板之间，所述隔板将所述气体扩散腔在平行所述气体分配板的平面上间隔成至少两个气体扩散区；至少两个进气管路分别独立向所述至少两个气体扩散区输入气体。2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头呈圆盘或圆环型。3.如权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，所述至少两个气体扩散区依次相包绕。4.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述至少两个气体扩散区为至少两个相互包绕的圆盘或圆环区域。5.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述至少两个气体扩散区包括相邻的内气体扩散区和外气体扩散区，所述外气体扩散区围绕所述内气体扩散区，所述内气体扩散区具有沿所述喷淋头的径向向外的突出部，所述突出部的尺寸沿径向向外逐渐变小。6.如权利要求5所述的喷淋头，其特征在于，所述内气体扩散区的外边缘呈星形、莲花形或紫荆花型。7.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述隔板的材料为抗刻蚀材料。8.如权利要求7所述的喷淋头，其特征在于，所述隔板的材料为陶瓷或不锈钢。9.如权利要求7所述的喷淋头，其特征在于，所述隔板的材料为至少氢气分子能够透过，而分子大...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔徽，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：