石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室和对衬底的加热方法技术

本发明专利技术实施例提供一种化学气相沉积工艺的石墨盘、反应腔室和对衬底的加热方法，其中所述石墨盘具有凹槽，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。本发明专利技术通过将衬底悬置，使得石墨盘对衬底的加热为热辐射为主，从而改善了对衬底尤其是发生了翘曲变形的衬底的加热的均匀性，改善了化学气相沉积工艺的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及化学气相沉积设备的石墨盘、反应腔室和对衬底的加热方法。
技术介绍
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在石墨盘上进行沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的化学气相沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的化学气相沉积工艺设备的结构示意图。手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和石墨盘12。所述喷淋头11内可以设置多个小孔，所述喷淋头11用于提供反应气体。所述石墨盘12内具有多个凹槽，每个凹槽内对应放置一片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述石墨盘12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对石墨盘12进行加热，石墨盘12受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底121进行加热。由于衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有用于放置衬底的凹槽，其特征在于，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有用于放置衬底的凹槽，其特征在于，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。2.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的形状为环形，所述支撑架环绕所述凹槽的底部一周，所述支撑架位于衬底的下方。3.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽的侧壁与底部构成V型。4.如权利要求2所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架与其中放置的衬底的厚度之和等于所述凹槽的深度。5.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘上，所述支撑架的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘上，所述支撑架的底部用于放置衬底。6.如权利要求5所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的形状为Z型或阶梯型。7.如权利要求5所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的正面、衬底的正面与石墨盘的正面齐平。8.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘中具有孔洞，位于衬底的边缘对应石墨盘中，所述孔洞用于减小...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：