石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室制造技术

本发明专利技术解决的技术问题是提供了一种化学气相沉积工艺的石墨盘和含有上述石墨盘的反应腔室，其中所述石墨盘具有用于放置衬底的凹槽，包括：孔洞，位于与所述衬底的边缘对应的石墨盘中，所述孔洞用于减少对衬底边缘的热辐射。本发明专利技术减小了衬底的边缘与衬底的中部之间的温差，提高衬底受热的均匀性，改善了化学气相沉积工艺的均匀性，提高了外延芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及化学气相沉积设备的石墨盘、反应腔室。
技术介绍
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在石墨盘上进行沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的化学气相沉积工艺的原理进行说明。具体地，以MOCVD为例，请参考图1所示的现有的化学气相沉积工艺设备的结构示意图。手套箱10内形成有相对设置的喷淋头11和石墨盘12。所述喷淋头11内可以设置多个小孔，所述喷淋头11用于提供反应气体。所述石墨盘12内具有多个凹槽，每个凹槽内对应放置一片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述石墨盘12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对石墨盘12进行加热，石墨盘12受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底121进行加热。由于衬底121放置在石墨盘1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有用于放置衬底的凹槽，其特征在于，包括：孔洞，位于与所述衬底的边缘对应的石墨盘中，所述孔洞用于减少对衬底的边缘的热辐射。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有用于放置衬底的凹槽，其特征在于，包括:孔洞，位于与所述衬底的边缘对应的石墨盘中，所述孔洞用于减少对衬底的边缘的热辐射。2.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述孔洞与凹槽相连通。3.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽的侧壁和底部形成V型。4.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，还包括:与凹槽对应的支撑架，用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。5.如权利要求4所述的石墨盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：