本发明专利技术公开了一种镀膜方法及装置，所述镀膜方法包括步骤：对待镀件的待镀膜区加热；在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。从而，通过预先对待镀件的待镀膜区加热，以提高该待镀膜区的温度，减小该待镀膜区与镀膜气流之间的温差，避免镀膜气流中的混合物于待镀件的待镀膜区结晶，从而镀膜层与待镀件之间没有结晶物的阻隔，镀膜层直接紧密附着于待镀膜区上，提高了镀膜的成功率和稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶面板
，尤其涉及一种镀膜方法和镀膜装置。
技术介绍
液晶面板包括阵列基板、彩色滤光片基板及设置在二者之间的液晶层。阵列基板是液晶面板的重要组成元件之一。在阵列基板上设置有若干信号线，如数据线、扫描线等。由于各种原因，阵列基板的信号线会存在断线缺陷，即信号线存在断路。为提高阵列基板的良率，需要利用镀膜装置在断线缺陷的区域补镀金属镀膜层，以修复断开的信号线。在补镀金属镀膜层时，由于镀膜装置向阵列基板上传送的镀膜气流是高温熔融的混合物，而阵列基板则是处于常温下，因此阵列基板与镀膜气流的温差很大，导致镀膜气流 中的混合物接触阵列基板后会形成结晶物。当结晶物落在待镀膜区域时，会使得镀膜层与阵列基板之间被结晶物阻隔，镀膜层不能紧密附着于阵列基板上，从而使镀膜层不牢固，容易从阵列基板上剥离，导致镀膜失败，降低了阵列基板的良率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种镀膜方法及装置，旨在提高镀膜的成功率和稳定性。为达以上目的，本专利技术提出一种镀膜方法，包括步骤对待镀件的待镀膜区加热；在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。优选地，所述对待镀件的待镀膜区加热包括利用激光加热装置或电阻加热装置对待镀件的待镀膜区加热。优选地，所述对待镀件的待镀膜区加热包括发射激光并把该激光汇聚于待镀件的待镀膜区，以对该待镀膜区加热。优选地，所述对待镀件的待镀膜区加热包括加热气体并把加热后的气体吹向待镀件的待镀膜区，以对该待镀膜区加热。本专利技术同时提出一种镀膜装置，包括加热单元和镀膜单元，所述加热单元用于对待镀件的待镀膜区加热，所述镀膜单元用于在待镀件加热后的待镀膜区镀膜。优选地，所述加热单元为激光加热单元或电阻加热单元。优选地，所述加热单元为激光加热单元，包括激光发射器和聚光件，所述激光发射器发射的激光经聚光件汇聚后照射于所述待镀件的待镀膜区。优选地，所述镀膜单元包括一阻隔玻璃，所述激光加热单元和镀膜单元位于所述待镀件的同一侧，且所述阻隔玻璃采用聚光玻璃以充当所述激光加热单元的聚光件。优选地，所述加热单元为电阻加热单元，包括导热管、设于导热管内的发热电阻和鼓风件，所述鼓风件对所述导热管内部吹风，吹入的气体被发热电阻加热后经导热管导向所述待镀件的待镀膜区。优选地，所述加热单元和镀膜单元并列设置位于所述待镀件的同一侧或相对设置分置于所述待镀件的两侧。本专利技术所提供的一种镀膜方法，通过预先对待镀件的待镀膜区加热，以提高该待镀膜区的温度，减小该待镀膜区与镀膜气流之间的温差，避免镀膜气流中的混合物于待镀件的待镀膜区结晶，从而镀膜层与待镀件之间没有结晶物的阻隔，镀膜层直接紧密附着于待镀件的待镀膜区上，提高了镀膜的成功率和稳定性。附图说明图1是本专利技术的镀膜方法第一实施例的流程图；图2是本专利技术的镀膜方法第二实施例的流程图； 图3是本专利技术的镀膜装置的结构示意图；图4是本专利技术的镀膜装置第一实施例的结构示意图；图5是本专利技术的镀膜装置第二实施例的结构示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施例方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参见图1，提出本专利技术的镀膜方法一实施例，所述镀膜方法包括步骤S101、对待镀件的待镀膜区加热。在镀膜之前，先对待镀件的待镀膜区加热，以提高待镀件的待镀膜区的温度，减小待镀件的待镀膜区与镀膜气流的温差。可以利用激光加热装置、电阻加热装置等加热装置对待镀件的待镀膜区加热，力口热装置可以与镀膜装置设为一体，也可以分体设置；加热装置与镀膜装置可以并列设置，位于待镀件的同一侧对该待镀件加热以及在该待镀件上镀膜；加热装置与镀膜装置也可以相对设置，分置于待镀件的两侧。当用激光加热装置加热时，激光加热装置的激光发射器发射的激光经聚光件汇聚后照射于待镀件的待镀膜区，汇聚后的激光就对该待镀膜区加热而提高该区域的温度。当用电阻加热装置加热时，将电阻加热装置的导热管的出风口对准待镀件的待镀膜区，电阻加热装置的鼓风件如风机则对导热管内部吹风，导热管内部的发热电阻对吹入的气体加热，加热后的热气体吹到待镀膜区使得该区域被加热，温度得以升高。步骤S102、在待镀件加热后的待镀膜区镀膜。对待镀件的待镀膜区加热后，待镀件的待镀膜区的温度得以升高，此时再在待镀件的待镀膜区镀膜时，镀膜装置喷射的高温熔融的镀膜气流与待镀件的待镀膜区的温差较小，甚至待镀件的的待镀膜区与镀膜气流之间的温差可以忽略，因此镀膜气流中的混合物不会在待镀膜区域结晶而影响镀膜气流在待镀膜区形成的镀膜层的附着力，使得镀膜层直接附着于待镀件的待镀膜区，与待镀件紧密结合，提高了镀膜的成功率和稳定性。参见图2，提出本专利技术的镀膜方法第二实施例。本专利技术的镀膜方法可以应用于液晶面板
，当液晶面板的阵列基板上的信号线存在断路缺陷时，需要对断线区域补镀金属镀膜层，以修复该信号线。本实施例即以在阵列基板上补镀金属镀膜层为例对本专利技术的镀膜方法做详细说明步骤S201、对阵列基板的待镀膜区加热。本实施例的待镀件即为需要修复信号线的阵列基板，并只对阵列基板的待镀膜区加热，一方面减少高温对阵列基板上其他部件的影响，另一方面可以减小能量不必要的损耗和浪费。此时待镀膜区即为阵列基板上信号线因存在断线而需要补镀金属镀膜层的区域。当用激光加热装置加热时，激光加热装置的激光发射器发射的激光经聚光件汇聚后照射于阵列基板的待镀膜区，汇聚后的激光就对该待镀膜区加热而提高该区域的温度。当用电阻加热装置加热时，将电阻加热装置的导热管的 出风口对准阵列基板的待镀膜区，电阻加热装置的鼓风件如风机则对导热管内部吹风，导热管内部的发热电阻对吹入的气体加热，加热后的热气体吹到待镀膜区使得该区域被加热，温度得以升高。步骤S202、将包含金属粉末混合物的镀膜气流传送到加热后的待镀膜区。镀膜装置将高温熔融的镀膜气流喷射到阵列基板的待镀膜区，由于该区域已预先加热，其与高温熔融的镀膜气流的温差较小，甚至阵列基板的待镀膜区与镀膜气流之间的温差可以忽略，因此镀膜气流中的金属粉末混合物就不会在该待镀膜区结晶。步骤S203、分解出金属粉末混合物中的金属粒子，以使该金属粒子附着于待镀膜区上形成镀膜层。镀膜装置发射激光对金属粉末混合物进行分解，由于从金属粉末混合物中分解出的金属粒子处于高温熔融状态，因此马上附着于阵列基板的待镀膜区上形成金属镀膜层，从而将存在断线缺陷的信号线修复。由于此时阵列基板的待镀膜区已经被加热，其与金属粒子之间的温差较小或者温差可以忽略，因此附着在阵列基板的待镀膜区的金属离子不会发生结晶，从而使形成在阵列基板的待镀膜区的金属镀膜层在待镀膜区的附着力强，而不会脱落。据此，本实施例通过预先对阵列基板的待镀膜区加热，以提高阵列基板的待镀膜区的温度，减小阵列基板的待镀膜区与镀膜气流之间的温差，避免镀膜气流中的混合物于阵列基板的待镀膜区结晶，使得镀膜层与阵列基板之间没有结晶物的阻隔，镀膜层直接紧密附着于阵列基板上，因此附着力强不会脱落，提高了镀膜的成功率和稳定性。如图3-图5，本专利技术还提出一种镀膜装置，所述镀膜装置100包括加热单元120和镀膜单元110，其中加热单元120用于对待镀件的待镀膜区加热，镀膜单元110用于在待镀件200加热后的待镀膜区镀膜。加热单元120本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种镀膜方法，其特征在于，包括步骤：对待镀件的待镀膜区加热；在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。
【技术特征摘要】
1.一种镀膜方法，其特征在于，包括步骤 对待镀件的待镀膜区加热； 在所述待镀件加热后的待镀膜区镀膜。2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述对待镀件的待镀膜区加热包括 利用激光加热装置或电阻加热装置对待镀件的待镀膜区加热。3.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述对待镀件的待镀膜区加热包括 发射激光并把该激光汇聚于待镀件的待镀膜区，以对该待镀膜区加热。4.根据权利要求1所述的待镀膜方法，其特征在于，所述对待镀件的待镀膜区加热包括 加热气体并把加热后的气体吹向待镀件的待镀膜区，以对该待镀膜区加热。5.一种镀膜装置，其特征在于，包括加热单元和镀膜单元，所述加热单元用于对待镀件的待镀膜区加热，所述镀膜单元用于在待镀件加热后的待镀膜区镀膜。6.根据权利要求5所述的镀膜装置，其特征在于，所述加热单...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑文达，吴础任，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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