包含加热步骤、处理步骤和冷却步骤的热处理方法技术

本发明专利技术涉及一种处理方法，尤其是在反应器壳体(1，2，3)的处理室(4)内对工件，尤其是半导体基板(19)进行镀覆的方法，所述处理室(4)构成可被加热装置(15)加热且具有用于安置所述工件的基座(5)的处理室底部(9)和可被冷却装置(23)冷却的处理室顶部(10)，其中，由处理室顶部(10)与处理室底部(9)的间距所界定的处理室高度(H)是可变的，其中，在加热步骤中，将基座(5)从所述处理室装卸所述工件时的装料/卸料温度加热至处理温度，在之后的处理步骤中，在处理温度下对所述工件进行热处理，随后在冷却步骤中，将基座冷却至装料/卸料温度。为了缩短循环时间推荐，在冷却步骤时使处理室高度(H)取其最小值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种处理方法，尤其是在反应器壳体的处理室内对工件，尤其是半导体基板，进行镀覆的方法，所述处理室构造成具有可被加热装置加热且具有用于容置工件的基座的处理室底部和可被冷却装置冷却的处理室顶部，其中，由处理室顶部与处理室底部的间距所界定的处理室高度是可变的，其中，在加热步骤中，将基座从所述处理室装卸所述工件时的装料/卸料温度加热至处理温度，在之后的处理步骤中，在处理温度下对所述工件进行热处理，随后在冷却步骤中，将基座冷却至装料/卸料温度。由DE 102 17 806A1已知一种利用MOCVD方法将半导体层沉积在半导体基板上的装置。该装置具有反应器壳体，在反应器壳体内设有进气机构及基座。进气机构底面与基座顶面之间为处理室。处理气体可经由处理室顶部上的开口进入处理室。基座上放有待镀覆的基板。为实现镀覆，反应气体或不同的反应气体成分尤其在待镀覆的基板表面发生热 解。反应产物，即III和V主族元素，在基板表面形成覆层，该层为单晶体基板上的晶体外延附生层。基座由加热装置自下方加热。可沿垂直方向移动基座，以改变处理室高度。本专利技术要解决的技术问题是缩短沉积制程周期。上述技术问题通过权利要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.16 DE 102010016477.11.一种处理方法，尤其是在反应器壳体(1，2，3)的处理室(4)内对工件，尤其是半导体基板(19)进行镀覆的方法，所述处理室(4)构造成具有可被加热装置(15)加热且具有用于安置所述工件的基座(5)的处理室底部(9)和可被冷却装置(23)冷却的处理室顶部(10)，其中，由所述处理室顶部(10)与所述处理室底部(9)的间距所界定的处理室高度(H)是可变的，其中，在加热步骤中，将所述基座(5)从所述处理室装卸所述工件时的装料/卸料温度加热至处理温度，在之后的处理步骤中，在处理温度下对所述工件进行热处理，随后在冷却步骤中，将基座冷却至装料/卸料温度，其特征在于，在所述加热步骤中使处理室高度(H)取其最大值，使得从被加热的基座(5)至被冷却的处理室顶部(10)的热流最小化，并且在所述冷却步骤中使所述高度取其最小值，使得从所要冷却的基座(5)至被冷却的处理室顶部的热流最大化，其中，流向所述处理室顶部(10)的热量被所述冷却装置(23)散走。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，在所述处理步骤中，通过构成所述处理室顶部(10)的进气机构(7)，将处理气体送入所述处理室(4)，所述处理气体在至少一个放置于所述基座(5)之上的所述基板(19)上通过化学反应或冷凝作用形成覆层。3.如前述权利要求之任一项所述的方法，其特征在于，在所述加热步骤中，将具有低导热性的冲洗气体，例如氮气，通过所述进气机构(7)送入所述处理室(4)内。4.如前述权利要求之任一项所述的方法，其特征在于，在所述冷却步骤中，将具有高导热性的处理气体，例如氢气，通过所述进气机构(7)送入所述处理室(4)内。5.如前述权利要求之任一项所述的方法，其特征在于，所述处理步骤是金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)过程。6.如前述权利要求之任一项所述的方法，其特征在于，在低于IOOOmbar的处理室压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·凯普勒，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：
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