【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造过程中的沉积系统，特别涉及一种晶舟辅助装置及原子层沉积系统。
技术介绍
随着技术的进步，当今世界已经有了各种各样的电子器件产品。这些产品所需要的条件越来越严格，既要提高样式和性能，也要重视长期的可靠性。而应用于电子器件产品的各种半导体器件，有可能会因为暴露于大气中而容易损坏。而一旦这些半导体器件损坏，就会影响电子器件的可靠性。因此对于上述的半导体器件，通常都有相应的保护措施。有的是在半导体器件暴露的大气中填充惰性气体或为其提 供干燥剂，还有的则是在半导体器件上覆盖保护层。作为保护层的材料通常有氮化硅、氧化硅、氧氮化硅。这些材料的制作的保护层具有对特定气体的阻挡特性，从而有效地充当半导体器件的保护层。其中，氮化硅具有对湿气和氧气的阻挡特性，但是阻挡的程度会根据保护层的形成条件有所不同。通常来说，氮化硅越致密，其阻挡特性也就越好。在半导体器件上形成氮化娃的方法有多种，其中一种方法是化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)。化学气相沉积是将反应气体输送至高温炉内，并且使反应气体与置于颅内的晶圆产生化学反应，以在...
【技术保护点】
一种晶舟辅助装置，安装于晶舟上，所述晶舟包括竖向设置的晶舟支架和若干水平设置的晶圆底座，所述晶圆底座是半环状结构，所述晶圆底座沿晶舟支架纵向均匀设置于所述晶舟支架上，其特征在于：所述晶舟辅助装置包括竖向设置的辅助物支架与至少两层水平设置的辅助物底座，所述辅助物底座是半环状结构，所述辅助物底座固定安装在所述辅助物支架上，所述辅助物底座和所述晶圆底座的形状和大小相对应，当晶舟辅助装置安装于晶舟上时，所述辅助物底座和对应位置的晶圆底座围合组成一个圆环形结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。