【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空镀膜设备
，尤其是一种易插型石墨舟。技术背景 PECVD是等离子体增强化学气相沉积技术的简称，其原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样 品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。石墨舟是其中的重要部件，直接影响到电场的分布、等离子的产生、气流的走向、膜的品质等。现有的石墨舟由于舟片紧凑，作业员在插、取硅片时会产生碎片的现象，影响了硅片镀膜生产效率。
技术实现思路
为了克服现有的石墨舟插、取硅片时易发生碎片现象，影响硅片镀膜生产效率的不足，本技术提供了一种易插型石墨舟。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种易插型石墨舟，包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟片上设有切口。根据本技术的另一个实施例，进一步包括切口为楔形，外口较内口宽。根据本技术的另一个实施例，进一步包括切口间隔分布在舟片两端。本技术的有益效果是，在舟片的两端间隔设置楔形切口，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术的结构示意图。图中I.舟体，2.舟片，3.支脚，4.上电极，5.下电极，6.切口。具体实施方式如图I是本技术的结构示意图，一种易插型石墨舟，包括舟体I、舟片2、支脚3、上电极4和下电极5，舟片2设置在舟体I内，支脚3安装在舟体I底部，上电极4和下电极5分别位于舟体I的上部和下部，舟片2上设有切口 6。...
【技术保护点】
一种易插型石墨舟，包括舟体（1）、舟片（2）、支脚（3）、上电极（4）和下电极（5），舟片（2）设置在舟体（1）内，支脚（3）安装在舟体（1）底部，上电极（4）和下电极（5）分别位于舟体（1）的上部和下部，其特征是，各舟片（2）之间设有切口（6）。
【技术特征摘要】
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