The invention discloses a low expansion rate of porous silicon / graphite composite anode material and its preparation method, through the process to achieve the alloying of porous silicon, realize nanometer silicon cheap prepared by carbon coating the conductive porous silicon and improve the stability, with graphite anode material according to certain proportion mixed, implementation of porous silicon / graphite low expansion silicon carbon cathode material preparation and design. This kind of material has the following advantages: porous silicon in space to provide enough space for the expansion of silicon, silicon and carbon cathode so as to realize the overall low expansion, low expansion and ensure the safety of the battery electrode; through the silicon carbon coating, including carbon graphite, amorphous carbon, implementation the conductivity of porous silicon and improve the stability; dealloy cheap way to ensure the silicon cheap and the composite anode is cheap.
【技术实现步骤摘要】
一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料及其制备方法
本专利技术涉及锂离子电池硅/石墨复合负极电极材料的制备领域,具体涉及一种在充放电过程中低膨胀率的多孔硅/石墨复合电极材料及其制备方法。
技术介绍
目前,商业化的锂离子电池是一种以石墨为负极,以含锂的化合物作为正极,正负极之间以隔膜隔开,构成的可连续充放电的二次电池体系。在充电过程中,锂离子从正极脱嵌,通过电解液以及隔膜,到达负极,并与石墨形成C6Li的化合物,放电过程中,锂离子从负极脱嵌出来,经过隔膜到达正极。从上述过程中可以发现,正极的含锂量以及负极的储锂能力决定了锂离子电池的容量。作为目前商业化的负极,石墨材料因其良好的导电性以及稳定性,成为了目前主流的负极材料。但是,其储锂机制(形成C6Li的插层化合物),决定了其较低的比容量,仅有372mAh/g,在一定程度上阻碍了锂离子电池容量的提升。近年,因传统能源的使用,造成的环境污染、雾霾以及全球气候变化,使人们日益感受到开发新能源的必要性。其中,锂离子电池作为新一代电动汽车使用的主要电池,迫切需要大幅度提升比容量,以实现动力电池超长的续航能力。由此可见,开发下一代高比容量的负极材料具有重要意义以及广阔前景。近年来,硅负极材料因其超高的比容量而备受关注。以高温合金相Li4.4Si计算,其理论比容量课高达4200mAhg-1。此外,硅作为地球的主要元素之一,为大规模制备提供了先天优势。其次,硅的充放电平台较低,可以有效避免锂枝晶的析出,保证了电池的安全性。但是硅在实际商业化的过程中也面临很多挑战;首先,硅材料在充放电过程中会发生高达300%以上的体积变化,造成 ...
【技术保护点】
一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、商业化的合金硅球制备;(2)、将合金硅球进行去合金化;(3)、将去合金化后的多孔硅球进行碳包覆后或直接与商业化石墨负极按比例均匀混合,得到低膨胀率的石墨/多孔硅复合负极材料。
【技术特征摘要】
1.一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、商业化的合金硅球制备;(2)、将合金硅球进行去合金化;(3)、将去合金化后的多孔硅球进行碳包覆后或直接与商业化石墨负极按比例均匀混合,得到低膨胀率的石墨/多孔硅复合负极材料。2.根据权利要求1所述的一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法,其特征在于,合金硅球是指能和酸反应的较活泼的金属合金球,其为镁硅合金、铝硅合金、锡硅合金中的任一种。3.根据权利要求1所述的一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)硅合金的制备为:通过将硅与金属进行熔炼后,得到成分均匀的合金锭,然后,将合金锭进行雾化后,得到粒径在100纳米到50微米之间的合金硅球。4.根据权利要求1所述的一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,去合金化所选用的酸为浓度为0.1mol/L到10mol/L的盐酸或者硫酸,反应时间为0.5小时到20小时,将金属彻底去除,得到多孔硅颗粒。5.根据权利要求1所述的一种低膨胀率多孔硅/石墨复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,石墨与多孔硅或者碳包覆多孔硅的混合的质量比为为1:1到99(石墨):1,...
【专利技术属性】
技术研发人员:慈立杰,翟伟,邵学智,
申请(专利权)人:山东泰纳新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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