一种基片处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种基片处理设备，其包括基片处理腔室和设置于基片处理腔室内的多层托盘，在基片处理腔室的外部设置有用于对多层托盘进行感应加热的感应加热线圈，其中，感应加热线圈包括主加热绕组和连接在主加热绕组两端的辅助加热绕组，主加热绕组的直径大于辅助加热绕组的直径。本发明专利技术提供的基片处理设备能够对基片处理腔室中的多层托盘进行感应加热并使多层托盘获得较为均匀和稳定的温度分布，从而有利于提高基片处理工艺的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子加工
，具体地，涉及一种基片处理设备。
技术介绍
在微电子产品生产过程中，需要在基片表面制备多种不同成分的膜层，因而需要米用多种制膜工艺。其中，MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)是一种利用金属有机化合物进行金属输运的化合物半导体气相外延新技术。该技术可以在纳米尺度上精确控制外延层的厚度和组分，且适于批量生产，因而已成为目前光电器件生产的主要手段。在MOCVD工艺过程中，对于基片处理腔室内的温度分布控制，特别是对石墨托盘上承载基片的区域的温度均匀性控制，是一项关系到工艺质量的重要技术指标。为此，技术 人员设计出一种螺线管状的感应加热线圈，用于对具有多层托盘结构的基片处理腔室的内部组件进行感应加热。然而，由于感应加热存在集肤效应的特性即靠近线圈的石墨托盘的外圆周部分的感应电流密度大，发热量大，加热温度高；而远离线圈的托盘中心区域的感应电流密度小，发热量小，加热温度低。因此，上述感应加热线圈无法有效提高基片的温度分布均匀性。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种基片处理设备，其能够有效提高对基片加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片处理设备，包括基片处理腔室和设置于所述基片处理腔室内的多层托盘，在所述基片处理腔室的外部设置有用于对所述多层托盘进行感应加热的感应加热线圈，其特征在于，所述感应加热线圈包括主加热绕组和连接在所述主加热绕组两端的辅助加热绕组，所述主加热绕组的直径大于所述辅助加热绕组的直径。

【技术特征摘要】
1.一种基片处理设备，包括基片处理腔室和设置于所述基片处理腔室内的多层托盘，在所述基片处理腔室的外部设置有用于对所述多层托盘进行感应加热的感应加热线圈，其特征在于， 所述感应加热线圈包括主加热绕组和连接在所述主加热绕组两端的辅助加热绕组，所述主加热绕组的直径大于所述辅助加热绕组的直径。2.根据权利要求I所述的基片处理设备，其特征在于，所述主加热绕组中的所有绕组的直径均相等。3.根据权利要求I所述的基片处理设备，其特征在于，所述主加热绕组中的各匝的直径为越靠近所述主加热绕组中间位置的直径越大。4.根据权利要求I所述的基片处理设备，其特征在于，所述辅助加热绕组中的所有匝的直径均相等。5.根据权利要求I所述的基片处理设备，其特征在于，所述辅助加热绕组中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志清，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：