【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体外延设备的装置,特别涉及一种用于MOCVD (MetalOrganic Chemical Vapor Deposition)的载片盘及与其配合的支撑和旋转连接装置；以及使用这种装置的反应室。
技术介绍
MOCVD设备，即金属有机物化学气相沉积设备是生产第三代半导体材料GaN(GaAs、AlN等)最主要的设备；是半导体产业中的关键设备。该设备集计算流体力学、热カ传导、系统集成控制、化合物生长等各学科于一体，是ー种高科技、新技术高度集中的设备；是突破产业发展瓶颈，提高产业水平的战略性高技术半导体装备。 MOCVD在沉积半导体材料时为了提高生产效率，提高设备利用率，一般每批次沉积20到60片，载片盘放置基片的面如图I所示，当前普遍使用的反应室结构如图2所示。沉积开始时由机械手将装载有基片的载片盘送入反应室；沉积过程中载片盘在旋转轴的带动下匀速旋转，转速可能为每分钟几十转到上千转之间；沉积完成后由机械手将载片盘取出。目前加热盘式反应室中使用的载盘支撑结构主要有以下两种形式第一种如图2所示，载片盘中间挖有一锥形孔，旋转轴与载片盘相连接的部分设计...
【技术保护点】
一种半导体外延片的载片盘，该载片盘（2）上表面设有承载基片（3）的载片腔，其特征是，所述载片盘（2）的下表面靠近载片盘外表面（21）的位置具有与支承轴（6）上端面相耦合的环形结构。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏唯，罗才旺，贾京英，陈特超，孙雪平，吕文利，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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