具有场板的半导体部件制造技术

本实用新型专利技术中公开的实施例涉及一种具有场板的半导体部件。根据实施例，半导体部件包括半导体材料，其中半导体材料包括多个层，所述多个层包括具有表面的应变层，并且第一介电材料层位于应变层上。第一接触部延伸通过第一介电材料层并且与应变层接触，并且第二接触部延伸通过第一介电材料层并且与应变层接触，其中第一接触部具有朝着第二接触部延伸并且用作场板的部分。根据本实用新型专利技术，可以增加半导体部件的反向击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本技术一般地涉及电子学，并且更具体地讲，涉及一种具有场板的半导体部件。
技术介绍
在过去，半导体产业使用各种不同器件结构和方法形成半导体器件，诸如例如二极管、Schottky 二极管、场效应晶体管(FET)、高电子迀移率晶体管(HEMT)等。已从化合物半导体衬底(诸如，例如II1-N材料)制造诸如二极管、Schottky 二极管和FET的器件。由II1-N材料(诸如，氮化镓(GaN)/氮化铝镓(AlGaN)材料)制成的半导体器件的缺点包括高反向漏电流和低反向击穿电压。为了克服这些缺点，半导体制造商已在器件的阳极使用介电层以减小反向漏电流。于2011年6月9日公布的Zhi He的公开号为2011/0133251A1的美国专利申请描述在阳极使用介电层以减小反向漏电流。虽然He教导一种用于减轻高反向漏电流的技术，但低反向击穿电压的问题仍然存在。因此，具有一种用于使用解决性能规格和可制造性的II1-N半导体衬底制造半导体部件的结构和方法将会是有益的。以成本有效的方式实现所述结构和方法将会具有另外的优点。
技术实现思路
本技术的目的在于具有一种包括场板的电路，以降低半导体部件的接触部边缘的电场并且扩展耗尽区，由此增加半导体部件的反向击穿电压。根据本技术的实施例，提供一种具有场板的半导体部件，包括:半导体材料，具有表面；介电材料层，位于半导体材料上方；第一电极，延伸通过介电材料层的第一部分并且与半导体材料的第一部分接触，第一电极具有第一侧壁和第二侧壁，其中第一侧壁被构造为场板的一部分；和第二电极，延伸通过介电材料层的第二部分并且与半导体材料的第二部分接触。优选地，第一电极的第一侧壁具有第一阶梯，第一阶梯具有第一阶梯距离，并且第一电极的第二侧壁具有第二阶梯，第二阶梯具有第二阶梯距离，第一阶梯距离大于第二阶梯距离。优选地，第一电极的第一侧壁具有第三阶梯，第三阶梯具有第三阶梯距离，第二阶梯距离大于第三阶梯距离。优选地，第一电极的第二侧壁具有第四阶梯，第四阶梯具有第四阶梯距离；第一电极的第二侧壁具有第五阶梯，第五阶梯具有第五阶梯距离；并且第一电极的第二侧壁具有第六阶梯，第六阶梯具有第六阶梯距离，第四阶梯距离、第五阶梯距离和第六阶梯距离是相同距离并且小于第一阶梯距离。优选地，第二电极具有T形。优选地，第一电极具有有着第一宽度的第一部分和有着第二宽度的第二部分，第二宽度大于第一宽度。优选地，半导体材料包括:半导体衬底；成核层，位于半导体衬底上；缓冲区域，位于成核层上方；沟道层，位于缓冲区域上方；和应变层，位于沟道层上方。优选地，缓冲区域包括被构造为缓冲区域的一个或多个II1-N材料层。根据本技术的另一实施例，提供一种半导体部件，包括:半导体材料，其中半导体材料包括多个层，所述多个层包括具有表面的应变层；第一介电材料层，位于应变层上；第一接触部，延伸通过第一介电材料层并且与应变层接触；和第二接触部，延伸通过第一介电材料层并且与应变层接触，其中第一接触部具有朝着第二接触部延伸并且用作场板的部分。优选地，第一接触部具有多个不对称阶梯并且第二接触部具有对称阶梯。优选地，第一接触部具有多个不对称阶梯，其中所述多个不对称阶梯包括:第一部分，具有第一侧向维度；第二部分，具有第二侧向维度，第二部分沿垂直方向与第一部分相邻并且第一侧向维度大于第二侧向维度；和第三部分，具有第三侧向维度，第三部分沿垂直方向与第二部分相邻，其中第二侧向维度大于第三侧向维度。优选地，第一接触部具有多个不对称阶梯并且第二接触部具有T形。优选地，第一接触部具有第一和第二相对侧壁，其中第一相对侧壁具有倾斜形状。优选地，第一接触部的第二相对侧壁具有倾斜形状。优选地，第一接触部的第二相对侧壁具有阶梯形状。优选地，第二接触部具有有着阶梯形状的侧壁，其中具有阶梯形状的第二接触部的侧壁面对第一接触部。优选地，第二接触部具有有着T形的侧壁，所述有着T形的侧壁面对第一接触部的第二相对侧壁。根据本技术的另一实施例，提供一种半导体部件，包括:化合物半导体材料，具有表面；介电层，位于化合物半导体材料上方；第一接触部，延伸通过介电层并且接触化合物半导体材料的第一部分；和第二接触部，具有第一和第二部分，第一部分沿垂直方向延伸通过介电层并且接触化合物半导体材料的第一部分并且第二部分沿水平方向朝着第一接触部延伸。优选地，第一接触部具有T形。优选地，第二接触部具有第一和第二侧壁，第二接触部的第一侧壁具有阶梯状结构并且第二接触部的第二侧壁具有倾斜结构。优选地，第二接触部具有第一和第二侧壁，第二接触部的第一侧壁具有倾斜结构并且第二接触部的第二侧壁具有倾斜结构。优选地，第一接触部具有第一和第二侧壁，其中第一侧壁具有阶梯状结构。【附图说明】通过阅读下面结合附图进行的详细描述将会更好地理解本技术，其中相同标号指示相同元件并且其中:图1是根据本技术的实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图2是在稍后制造阶段的图1的半导体部件的剖视图；图3是在稍后制造阶段的图2的半导体部件的剖视图；图4是在稍后制造阶段的图3的半导体部件的剖视图；图5是在稍后制造阶段的图4的半导体部件的剖视图；图6是在稍后制造阶段的图5的半导体部件的剖视图；图7是在稍后制造阶段的图6的半导体部件的剖视图；图8是在稍后制造阶段的图7的半导体部件的剖视图；图9是图8的半导体部件的一部分的放大图。图10是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图11是在稍后制造阶段的图10的半导体部件的剖视图；图12是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图13是在稍后制造阶段的图12的半导体部件的剖视图。图14是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图15是在稍后制造阶段的图14的半导体部件的剖视图；图16是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图17是在稍后制造阶段的图16的半导体部件的剖视图；图18是根据本技术的另一实施例的在稍后制造阶段的图3的半导体部件的剖视图；图19是在稍后制造阶段的图18的半导体部件的剖视图；图20是在稍后制造阶段的图19的半导体部件的剖视图；图21是在稍后制造阶段的图20的半导体部件的剖视图；图22是在稍后制造阶段的图21的半导体部件的剖视图；图23是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图24是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；图25是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图；和图26是根据本技术的另一实施例的在制造期间的半导体部件的剖视图。为了说明的简单和清楚，附图中的元件未必按照比例绘制，并且不同附图中的相同标号表示相同元件。另外，为了描述的简单，省略公知步骤和元件的描述和细节。如这里所使用，电流传送电当前第1页1 2 3 4 5 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有场板的半导体部件，包括：半导体材料，具有表面；介电材料层，位于半导体材料上方；第一电极，延伸通过介电材料层的第一部分并且与半导体材料的第一部分接触，第一电极具有第一侧壁和第二侧壁，其中第一侧壁被构造为场板的一部分；和第二电极，延伸通过介电材料层的第二部分并且与半导体材料的第二部分接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C·刘，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US