半导体载板制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体载板，其包含基板、连接垫、图案线路层、介电层、焊垫以及焊料，连接垫及图案线路层形成于基板上，介电层形成于连接垫及图案线路层上，并具有对应连接垫的开口，焊垫形成于开口中，焊垫宽度等于或小于介电层开口的最大宽度，也可形成小于介电层开口的最大宽度的突起部，从而能够减少了短路发生和电气干扰的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体载板，尤其涉及一种焊垫的宽度等于或小于介电层开口的宽度的半导体载板。
技术介绍
参阅图1，为现有技术半导体载板的剖视图。如图I所示，半导体载板I包含基板10、连接垫22、图案线路层24、介电层30、多个焊垫48以及多个焊料58。基板10以高分子材料或陶瓷材料所制成，高分子材料包含双马来酰亚胺三氮杂苯(Bismaleimide Triazine,BT)。连接垫22及图案线路层24设置于基板10之上，以第一导电材料所制成，第一导电金属包含铜。介电层30形成连接垫22及图案线路层24之上，并具有对应连接垫22的多个开口 35，开口 35具有向连接垫22逐渐缩减的宽度，最小宽度为Dl而最大宽度为D2。焊垫 40形成于开口 35，对应于连接垫22且将开口 35填满，焊垫48具有高于介电层30的高度，且焊垫48高于介电层30的部份的宽度D6大于开口 35的最大宽度D2，焊垫48以第二导电材料所制成，该第二导电金属为镍金合金或锡铅合金。所述焊料58分别形成于所述焊垫48之上，将焊垫48覆盖以连接外部电路(未显示)。随着各种电子产品的进步，同一半导体载板上所搭载的芯片越来越多，现有技术的结构出现了焊垫过于接近，容易发生短路和电气干扰的问题，因此需要一种减少短路和电气干扰的载板结构。
技术实现思路
本专利技术的一目的是提供一种半导体载板，包含基板、连接垫、图案线路层、介电层、焊垫以及焊料。连接垫及图案线路层设置于基板之上，以第一导电材料所制成。介电层形成连接垫及图案线路层之上，并具有对应连接垫的多个开口，开口具有向连接垫逐渐缩减的宽度。焊垫形成于开口，对应于连接垫且将开口填满，焊垫具有高于介电层的高度，且焊垫高于介电层的部份的宽度与开口的最大宽度相符，焊垫以第二导电材料所制成。焊料形成于焊垫上，将焊垫覆盖以连接外部电路。本专利技术的另一目的是提供一种半导体载板，仅在焊垫及焊料上变化，其它的功能不再赘述，焊垫形成于开口，对应于连接垫并将开口填满，每一个焊垫具有高于介电层的突起部，且突起部的宽度小于开口的最大宽度。焊料形成于焊垫之上，将焊垫覆盖以连接外部电路。本专利技术的另一目的是提供一种半导体载板，仅在焊垫及焊料上变化，其它的功能不再赘述，焊垫形成于开口中，具有高于介电质的高度，且焊垫的宽度小于开口的最小宽度。焊料形成于焊垫之上，将焊垫覆盖以连接外部电路，并部分形成于开口之中且与连接垫连接。由本专利技术的半导体载板，在相同的面积中提供了较宽的焊垫间距，而减少了短路发生和电气干扰的问题。附图说明图I为现有技术半导体载板的剖视图。图2为本专利技术第一实施例半导体载板的剖视图。图3为本专利技术第二实施例半导体载板的剖视图。图4为本专利技术第三实施例半导体载板的剖视图。具体实施例方式现谨就本专利技术的半导体载板的结构组成及所能产生的功效，配合图式，举一本专利技术的较佳实施例详细说明如下参阅图2，为本专利技术第一实施例半导体载板的剖视图。如图2所示，半导体载板2包含基板10、连接垫22、图案线路层24、介电层30、多个焊垫40以及多个焊料50。基板10以高分子材料或陶瓷材料所制成，高分子材料包含双马来酰亚胺三氮杂苯(BismaleimideTriazine, BT)。连接垫22及图案线路层24设置于基板10之上，以第一导电材料所制成，第一导电金属包含铜。介电层30形成连接垫22及图案线路层24之上，并具有对应连接垫22的多个开口 35，开口 35具有向连接垫22逐渐缩减的宽度，最小宽度为Dl而最大宽度为D2。焊垫40形成于开口 35，对应于连接垫22且将开口 35填满，焊垫40具有高于介电层30的高度，且焊垫40高于介电层30的部份的宽度D3与开口 35的最大宽度D2相符，焊垫40以第二导电材料所制成，该第二导电金属为镍金合金或锡铅合金。所述焊料50分别形成于所述焊垫40之上，将焊垫40覆盖以连接外部电路(未显示)。参阅图3，为本专利技术第二实施例半导体载板的剖视图。如图3所示，第二实施例的半导体载板3除了焊垫42及焊料52外均与第一实施例相同，相同的功能及技术特征在此将不再赘述。在第二实施例中，焊垫42形成于开口 35，对应于连接垫22并将开口 35填满，每一个焊垫42具有高于介电层30的突起部64，且突起部64的宽度D4小于开口 35的最大宽度D2。所述焊料52分别形成于所述焊垫42之上，将焊垫42覆盖以连接外部电路(未显示)O参阅图4，为本专利技术第三实施例半导体载板的剖视图。如图4所示，第三实施例的半导体载板4除了焊垫44及焊料54外均与第一实施例相同，相同的功能及技术特征在此将不再赘述。在第三实施例中，焊垫44形成于开口 35中，具有高于介电质30的高度，且焊垫46的宽度D5小于开口 35的最小宽度Dl。所述焊料54形成于所述焊垫44之上，将焊垫44覆盖以连接外部电路(未显示)，并部分形成于开口 35之中且与连接垫22连接。以上所述者仅为用以解释本专利技术的较佳实施例，并非企图据以对本专利技术做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的精神下所作有关本专利技术的任何修饰或变更，皆仍应包括在本专利技术意图保护的范畴。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体载板，其特征在于，包含 一基板，以至少一高分子材料或至少一陶瓷材料所制成； 多个连接垫，设置于基板之上，以一第一导电材料所制成； 一图案线路层，与所述连接垫共同设置于基板之上，以该第一导电材料所制成； 一介电层，在所述连接垫及该图案线路层之上，并具有对应所述连接垫的多个开口，所述开口具有多个向所述连接垫逐渐缩减的宽度； 多个焊垫，以一第二导电材料所制成，形成于所述开口中，对应于所述连接垫，且将所述开口填满，所述焊垫具有高于该介电层的一高度，且高于该介电层的部份的宽度与所述开口的一最大宽度相符；以及 多个焊料，分别形成于所述焊垫之上，以将所述焊垫覆盖以连接一外部线路。2.如权利要求I所述的半导体载板，其特征在于，所述高分子材料为双马来酰亚胺三氮杂苯。3.如权利要求I所述的半导体载板，其特征在于，所述第一导电材料包含铜。4.如权利要求I所述的半导体载板，其特征在于，所述第一导电材料为镍金合金或锡铅合金。5.一种半导体载板，其特征在于，包含 一基板，以至少一高分子材料或至少一陶瓷材料所制成； 多个连接垫，以一第一导电材料所制成； 一图案线路层，与所述连接垫共同设置于基板之上，以该第一导电材料所制成； 一介电层，在所述连接垫及该图案线路层之上，并具有对应所述连接垫的多个开口，所述开口具有多个向所述连接垫逐渐缩减的宽度； 多个焊垫，以一第二导电材料所制成，形成于所述开口中，对应于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张谦为，林定皓，吕育德，
申请(专利权)人：苏州统硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：