一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于结晶膜生长设备的载片托盘，在所述载片托盘的至少一个表面上形成有用于容纳基片的凹槽，并且对于每一个凹槽而言，其槽底到槽口的距离自凹槽中心向凹槽边缘逐渐减小。本发明专利技术还提供一种用于结晶膜生长设备的托盘装置，其包括多个本发明专利技术提供的上述载片托盘，并且相邻载片托盘之间具有一定间距。本发明专利技术还提供了一种结晶膜生长设备，其包括工艺腔室，在所述工艺腔室内设置有本发明专利技术提供的上述载片托盘和/或托盘装置，用于承载被加工基片。本发明专利技术提供的载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备，可生长厚度较均匀的薄膜，具有高的产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工/处理技术，尤其涉及一种用于承载被加工工件的载片托盘及应用该载片托盘的托盘装置和结晶膜生长设备。
技术介绍
目前随着技术的发展，化学气相生长(Chemical Vapor Deposition,简称为CVD)技术已经得到越来越多的应用。特别是其中的金属有机化学气相生长(Metal OrganicChemical Vapor Deposition，简称为M0CVD)技术，因其具有镀膜成分易控、镀膜均匀致密以及附着力好等优点而逐渐成为工业界主要的镀膜技术。所谓MOCVD技术是指，利用金属有机化合物(Metal Organic,简称为MO)作为源物质的一种化学气相生长技术,其原理为使有机金属原料气体、氢化气体或卤化气体进行热分解反应而在气相中使薄膜生长。在实 际工艺中，将进行上述CVD反应的设备称为CVD设备；将使用MO气体进行CVD反应的设备称为MOCVD设备。通常，诸如结晶膜生长设备等的CVD设备包括有工艺腔室，在工艺腔室内设置有用于承载诸如基片等的被加工工件的托盘，该托盘上的用于承载基片的表面为平直表面。在工艺腔室外设置有感应加热器，用以通过感应加热的方式来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于结晶膜生长设备的载片托盘，其特征在于，在所述载片托盘的至少一个表面上形成有用于容纳基片的凹槽，并且对于每一个凹槽而言，其槽底到槽口的距离自凹槽中心向凹槽边缘逐渐减小。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：古村雄二，张建勇，徐亚伟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：