【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空镀膜设备
,尤其是一种便捷石墨舟。
技术介绍
PECVD是等离子体增强化学气相沉积技术的简称,其原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。石墨舟是其中的重要部件,直接影响到电场的分布、等离子的产生、气流的走向、膜的品质等。现有的石墨舟由于舟片紧凑,作业员在插、取硅片时会产生碎片的现象,影响了硅片镀膜生产效率。
技术实现思路
为了克服现有的石墨舟插、取硅片时易发生碎片现象,影响硅片镀膜生产效率的不足,本技术提供了一种便捷石墨舟。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种便捷石墨舟,包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极,舟片设置在舟体内,支脚安装在舟体底部,上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部,舟片上设有缺口。根据本技术的另一个实施例,进一步包括缺口为半圆形,位于舟片中央。根据本技术的另一个实施例,进一步包括舟片均匀分布在舟体内腔。本技术的有益效果是,在每一片舟片的同一位置设置半圆形缺口,为插、取硅片提供了方便,避免了破损,从而大大提高了硅片镀膜生产效率。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术的结构示意图。图中I.舟体,2.舟片,3.支脚,4.上电极,5.下电极,6.缺口。具体实施方式如图I是本技术的结构示意图,一种便捷石墨舟,包括舟体I、舟片2、支脚3、上电极4和下电极5,舟片2设置在舟体I内,支脚3安装在舟体I底部,上电极4和下电极5分别位于舟体I的上部和下部,舟片2上设有缺口 6。缺 ...
【技术保护点】
一种便捷石墨舟,包括舟体(1)、舟片(2)、支脚(3)、上电极(4)和下电极(5),舟片(2)设置在舟体(1)内,支脚(3)安装在舟体(1)底部,上电极(4)和下电极(5)分别位于舟体(1)的上部和下部,其特征是,舟片(2)上设有缺口(6)。
【技术特征摘要】
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