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本发明涉及一种处理方法，尤其是在反应器壳体(1，2，3)的处理室(4)内对工件，尤其是半导体基板(19)进行镀覆的方法，所述处理室(4)构成可被加热装置(15)加热且具有用于安置所述工件的基座(5)的处理室底部(9)和可被冷却装置(23)冷...
该专利属于艾克斯特朗欧洲公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克斯特朗欧洲公司授权不得商用。

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