【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于ETP PECVD生产线的镂空石墨载板，属于高端PECVD装备领域。技术背景ETP PECVD技术具有高沉积率(可达20nm/s)、SiH4气源利用率高(只是辉光放电PECVD技术的一半)和操作简单等优点。该技术广泛用于太阳能电池片制造工艺中减反射薄膜的制备。在减反射薄膜生产过程中，由于石墨载板反复经历低真空、低温到高真空、高温(450摄氏度)再到低真空、低温的不同腔室，因此要求石墨抗蠕变和膨胀系数小。另一方面在ETP PECVD中由于沉积速度快，石墨载板在沉积腔室中停留时间只有不到一分钟时间，导致石墨载板和硅片之间的接触面温度很难达到设定温度，从而影响电池片转换率。
技术实现思路
为了克服上述缺点，本技术的目的在于提供一种用于ETP PECVD生产线镂空石墨载板，该载板制作简单、成本低，能有效提闻娃片加热效率和减少娃片在装卸过程中的破片率。为达到上述目的，本新型的石墨载板采用的解决方案是将石墨板的中心区域加工有12个镂空方格，方格四周加工有凹槽，凹槽的角上加工有半圆台阶和矩形台阶，与安放硅片的支撑面齐平。石墨板的上侧加工有传输磁铁固定孔和磁铁...
【技术保护点】
一种用于ETP?PECVD生产线的镂空石墨载板，其特征在于：在一矩形石墨板（1）的中心区域加工有镂空方格（106），方格四周加工有凹槽（105），凹槽的角上加工有半圆台阶（103）和矩形台阶（104），与安放硅片的支撑面齐平。
【技术特征摘要】
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