一种石墨烯薄膜的转移方法及基板技术

本发明专利技术实施例提供一种石墨烯薄膜的转移方法及基板，涉及显示技术领域，可以改善转移过程中石墨烯薄膜出现裂纹的现象，提高石墨烯薄膜在目标基板上的附着性，并实现大尺寸石墨烯薄膜的转移。一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在生长有石墨烯薄膜的第一基底上，形成支撑层；所述支撑层形成在所述石墨烯薄膜远离所述第一基底的一侧；将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结；去除所述第一基底。

Method for transferring graphene film and substrate

Transfer method and substrate is the embodiment of the invention provides a graphene film, relates to the technical field of display, can improve the graphene film transfer process of crack phenomenon, improve the adhesion of the graphene film on a target substrate, and realize the transfer of large size graphene films. Including the transfer method, a graphene film: the growth of graphene films on the first substrate, forming a support layer; forming one side away from the first substrate on the graphene film the supporting layer; the formation of the first substrate of the supporting layer and the substrate through the transparent adhesive side of the target the adhesive layer; removing the first substrate.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯薄膜的转移方法及基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种石墨烯薄膜的转移方法及基板。
技术介绍
由于氧化铟锡(ITO)具有较高的透过率和较低的方阻，而被广泛使用，但是ITO中铟的价格昂贵，且ITO材料本身比较脆，导致利用ITO形成的透明导电膜的耐弯折性较差，因此，寻找一种成本低、耐弯折性较好的透明导电材料具有重要的意义。石墨烯具有耐弯折性强、成本低、以及优异的光电性能等优点，近年来以石墨烯薄膜作为透明导电材料的研究呈爆发式增长。通常采用化学气相沉积法(Chemicalvapordeposition，简称CVD)制备石墨烯，制备过程中，一般选用金属材料作为石墨烯的生长基底，而石墨烯要作为透明导电材料使用，必须转移到目标基板上。目前，石墨烯薄膜的转移主要采用金属基底腐蚀法，其工艺步骤如图1(a)-1(e)所示，首先将支撑层30涂覆在石墨烯薄膜20远离生长基板10的一侧，以支撑石墨烯薄膜20转移，然后利用刻蚀液去除生长基板10，再将涂覆有支撑层30的石墨烯薄膜20转移到目标基板40上，最后利用丙酮将石墨烯薄膜20上的支撑层30去除掉，从而得到附着在目标基板40上的石墨烯薄膜20。目前，一般采用聚甲基丙烯酸乙酯(PMMA)作为支撑层30。然而，在将涂覆有PMMA的石墨烯薄膜20转移到目标基板40上的过程中，由于PMMA材料比较脆，容易使石墨烯薄膜20破裂，并且在石墨烯薄膜20与目标基板40贴附的过程中，二者之间不可避免地存在空隙，从而使二者之间的附着性大大降低，基于以上原因，难以实现大尺寸石墨烯薄膜20的转移。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种石墨烯薄膜的转移方法及基板，可以改善转移过程中石墨烯薄膜出现裂纹的现象，提高石墨烯薄膜在目标基板上的附着性，并实现大尺寸石墨烯薄膜的转移。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在生长有石墨烯薄膜的第一基底上，形成支撑层；所述支撑层形成在所述石墨烯薄膜远离所述第一基底的一侧；将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结；去除所述第一基底。可选的，将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结，包括：在目标基板上形成透明粘结层，将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与所述目标基板上的透明粘结层粘结。可选的，将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结，包括：在所述支撑层远离所述第一基底一侧形成透明粘结层，将所述第一基底的形成有所述透明粘结层的一侧与目标基板粘结。优选的，所述支撑层的材料为4-乙烯基-苯环均聚物。优选的，所述透明粘结层的材料包括压敏胶、光学透明胶中的至少一种。优选的，所述目标基板包括第二基底，所述第二基底为柔性基底或刚性基底。优选的，所述第一基底为金属基底；去除所述第一基底，包括：采用强氧化剂或酸性刻蚀液去除所述第一基底。另一方面，提供一种基板，包括基底，设置在所述基底上的石墨烯复合结构；所述石墨烯复合结构包括石墨烯层、透明粘结层和支撑层；其中，所述石墨烯复合结构通过所述透明粘结层与所述基底粘结，所述支撑层位于所述透明粘结层和所述石墨烯层之间。优选的，所述支撑层的材料为4-乙烯基-苯环均聚物。优选的，所述基底为柔性基底或刚性基底。本专利技术实施例提供一种石墨烯薄膜的转移方法，通过先在石墨烯薄膜远离第一基底的一侧形成支撑层，再将第一基底形成有支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结，最后去除第一基底，从而完成石墨烯薄膜的转移。由于在转移过程中，先粘结支撑层与目标基板，再去除第一基底，相对现有技术，可以改善转移过程中石墨烯薄膜出现裂纹的现象，还可以避免空隙影响支撑层和目标基板的附着性，并且通过透明粘结层粘结支撑层与目标基板，可提高支撑层与目标基板的附着性，进而提高石墨烯薄膜在目标基板上的附着性。在上述基础上，可实现大尺寸石墨烯薄膜的转移。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1(a)为现有技术提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图一；图1(b)为现有技术提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图二；图1(c)为现有技术提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图三；图1(d)为现有技术提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图四；图1(e)为现有技术提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图五；图2为本专利技术实施例提供的一种石墨烯薄膜转移方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图一；图4为本专利技术实施例提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图二；图5为本专利技术实施例提供的一种石墨烯薄膜转移方法的过程示意图三；图6为本专利技术实施例提供的一种透明粘结层的设置位置的示意图一；图7为本专利技术实施例提供的一种透明粘结层的设置位置的示意图二；图8为本专利技术实施例提供的一种基板的结构示意图。附图标记：10-生长基板；20-石墨烯薄膜；30-支撑层；40-目标基板；50-第一基底；60-透明粘结层；100-基底；200-石墨烯复合结构；201-石墨烯层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种石墨烯薄膜的转移方法，如图2所示，包括如下步骤：S10、如图3所示，在生长有石墨烯薄膜20的第一基底50上，形成支撑层30；支撑层30形成在石墨烯薄膜20远离第一基底50的一侧。此处，支撑层30为具有支撑石墨烯薄膜20作用的透明绝缘材料，不影响石墨烯薄膜20的透过率。需要说明的是，不对支撑层30在石墨烯薄膜20上的形成方式进行限定，例如可以通过涂覆的方式，包括旋转涂覆(Spincoating)、狭缝涂覆(Slitcoating)等形成。S20、如图4所示，将第一基底50的形成有支撑层30的一侧与目标基板40通过透明粘结层60粘结。此处，透明粘结层60为具有粘结性的透明绝缘材料，不影响透过率。S30、如图5所示，去除第一基底50。需要说明的是，不对去除第一基底50的方法进行限定，只要能将第一基底50去除，且不会对石墨烯薄膜20、支撑层30、透明粘结层60、以及目标基板40产生影响即可。本专利技术实施例提供一种石墨烯薄膜20的转移方法，通过先在石墨烯薄膜20远离第一基底50的一侧形成支撑层30，再将第一基底50形成有支撑层30的一侧与目标基板40通过透明粘结层60粘结，最后去除第一基底50，从而完成石墨烯薄膜20的转移。由于在转移过程中，先粘结支撑层30与目标基板40，再去除第一基底50，相对现有技术，可以改善转移过程中石墨烯薄膜20出现裂纹的现象，还可以避免空隙影响支撑层30和目标基板40的附着性，并且通过透明粘结层60粘结支撑层30与目标基板40，可提高支撑层30与目标基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括：在生长有石墨烯薄膜的第一基底上，形成支撑层；所述支撑层形成在所述石墨烯薄膜远离所述第一基底的一侧；将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结；去除所述第一基底。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括：在生长有石墨烯薄膜的第一基底上，形成支撑层；所述支撑层形成在所述石墨烯薄膜远离所述第一基底的一侧；将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结；去除所述第一基底。2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结，包括：在目标基板上形成透明粘结层，将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与所述目标基板上的透明粘结层粘结。3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结，包括：在所述支撑层远离所述第一基底一侧形成透明粘结层，将所述第一基底的形成有所述透明粘结层的一侧与目标基板粘结。4.根据权利要求1-3任一项所述的转移方法，其特征在于，所述支撑层的材料为4-乙烯基...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭康，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11