衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室制造技术

本实用新型专利技术提供一种衬底支撑结构和含有上述衬底支撑结构的反应腔室，所述衬底支撑结构包括：衬底支撑盘和圆筒状旋转体，所述圆筒状旋转体竖直设置，所述衬底支撑盘支撑于所述圆筒状旋转体的顶端；所述圆筒状旋转体的顶端具有支撑件突起或支撑件凹槽，所述衬底支撑盘具有与对应所述支撑件突起或支撑件凹槽相对应的支撑盘凹槽或支撑盘突起，所述支撑件突起与支撑盘凹槽之间能够进行相对运动或所述支撑件凹槽与支撑盘突起之间能够进行相对运动，将所述衬底支撑盘锁紧于所述圆筒状旋转体。本实用新型专利技术解决了放置衬底的衬底支撑盘在转动过程中容易飞出去、转动不稳定的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及衬底支撑结构和含有上述衬底支撑结构的反应腔室。
技术介绍
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在衬底上进行沉积工艺，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的化学气相沉积工艺的原理进行说明。具体地，请参考图I所示的现有的MOCVD设备的反应腔室的结构示意图。反应腔室10内形成有相对设置的喷淋头11和衬底支撑盘12。所述喷淋头11内可以设置多个通孔，所述喷淋头11用于提供反应气体。所述衬底支撑盘12的材质通常为石墨，所述衬底支撑盘12的正面(即所述衬底支撑盘12的朝向喷淋头11 一侧的表面)用于放置衬底121。所述衬底支撑盘12的背面(即所述衬底支撑盘12的远离所述喷淋头11一侧的表面)下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对衬底支撑盘12进行加热。为了保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底支撑结构，包括：衬底支撑盘和圆筒状旋转体，所述圆筒状旋转体竖直设置，所述衬底支撑盘支撑于所述圆筒状旋转体的顶端；其特征在于：所述圆筒状旋转体的顶端具有支撑件突起或支撑件凹槽，所述衬底支撑盘具有与对应所述支撑件突起或支撑件凹槽相对应的支撑盘凹槽或支撑盘突起，所述支撑件突起与支撑盘凹槽之间能够进行相对运动或所述支撑件凹槽与支撑盘突起之间能够进行相对运动，将所述衬底支撑盘锁紧于所述圆筒状旋转体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄允文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：实用新型
国别省市：