双通道均化低压化学气相沉积系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于：所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。所述进气管的数目为两个。所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。本实用新型专利技术的沉积室内的气流均匀，可保证理想的沉积效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及无机合成化学
，具体地说，涉及一种化学气相沉积系统。
技术介绍
化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前，利用化学气相沉积技术，在沉积室内的基片上制得SiO2或者多晶硅，是生产 电子元件的重要环节。现有技术中，用来制得SiO2或者多晶硅的化学气相沉积系统，如图I所示，主要包括沉积室11、设在沉积室11内的石英舟12、若干个插装在石英舟12上的基片13和设在沉积室11底部的加热系统15 ;沉积室11的一端设有一号进气口 16和二号进气口 17，分别用于向沉积室11内充入3%、02两种气体；沉积室11的另一端设有抽气口 14。其缺点是进入沉积室11内的气流不均匀，导致沉积效果差。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种沉积室内气流均匀、可保证理想沉积效果的双通道均化低压化学气相沉积系统。为解决上述问题，本技术所采用的技术方案是一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。进一步地说，所述进气管的数目为两个。作为上述技术方案的改进所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。进一步地说，所述进气管的两个端口处都安装有带有调节流量大小的刻度阀。由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本技术的沉积室内的气流均匀，可保证理想的沉积效果。附图说明图I为现有技术中化学气相沉积系统的一种结构不意图；图2为本技术一种是实施例的结构示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本技术。如图2所示，一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室21、设在沉积室21内的石英舟22、若干个插装在石英舟22上的基片23和设在沉积室21底部的加热系统25，沉积室21的一端设有抽气口 24。所述沉积室内设有两个进气管，分别是一号进气管26和二号进气管27。两个进气管的两端口分别穿出沉积室21的两端，位于沉积室21内的一号进气管26的管壁上均匀设置有若干个一号管透气孔26a，位于沉积室21内的二号进气管27的管壁上均匀设置有若干个二号管透气孔27a。一号进气管26的两个端口处分别安装有第一流量调节阀26b和第二流量调节阀26c。二号进气管27的两个端口处分别安装有 第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c。所述的第一流量调节阀26b、第二流量调节阀26c、第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c均为带有调节流量大小的刻度阀。当然，作为本技术的其他实施例，也可以仅在一号进气管26任意一端的端口处和二号进气管27任意一端的端口处安装流量调节阀。使用时，从一号进气管26的两个端口向一号进气管26内充入SiH4(或者O2)气体，SiH4 (或者O2)气体通过一号进气管26管壁上的各个一号管透气孔27a进入沉积室21内；从二号进气管27的两个端口向二号进气管27内充入O2 (或者SiH4)气体，O2 (或者SiH4)气体通过二号进气管24管壁上的各个二号管透气孔27a进入沉积室21内。这样，可使沉积室21内的气流均匀，保证沉积的效果更加理想。通过两个进气管端口处安装的流量调节阀可对进入沉积室21内的气体流量进行适当的调节，以便达到最佳效果。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。2.根据权利要求I所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述进气管的数目为两个。3.根据权利要求I或2所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。4.根据权利要求3所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述进气管的两个端口处都安装有流量调节阀。5.根据权利要求3所述的双通道均化低压化学气相沉积系统，其特征在于所述流量调节阀为带有调节流量大小的刻度阀。专利摘要本技术公开了一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。所述进气管的数目为两个。所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。本技术的沉积室内的气流均匀，可保证理想的沉积效果。文档编号C23C16/455GK202766615SQ20122038700公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月6日 优先权日2012年8月6日专利技术者蒋友华 申请人:上海崛启电子设备有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于：所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋友华，
申请(专利权)人：上海崛启电子设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：