改善气流的喷头支撑结构制造技术

本发明专利技术的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体上关于支撑在等离子体腔室内的气体分配喷头。更具体地，本专利技术关于经由气体分配喷头向腔室供应气体。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种将工艺气体经由气体分配喷头引导到工艺腔室内的沉积方法。喷头受到电性偏压，以将工艺气体点燃成等离子体。座落在喷头对面的基座电接地且作用成阳极。当工艺气体流动到喷头与基座之间的处理空间内时，喷头将工艺气体分散。近来，对于将材料沉积在大面积基板上，PECVD已经变得广受欢迎。大面积基板可具有大于约一平方米的表面积。大面积基板可用于平板显示器(FPD)、太阳能面板、有机发光显示器(OLED)与其它应用。这些工艺需要使大面积基板经受300℃至400℃或更高数量级的温度，并且需要在沉积期间将大面积基板维持在相对于喷头的固定位置，以确保所沉积的层的均匀性。大致上，喷头是以定距离间隔关系被支撑在大面积基板上方的穿孔板，从而适于分散工艺气体，并且喷头通常具有与待处理的基板实质上相等的面积。喷头一般由铝制成，并且喷头在PECVD工艺期间在耐受温度的同时经受膨胀与收缩。喷头一般被支撑在边缘与中心的周围，以维持基板与喷头之间的处理空间。然而，典型的中心支撑机制会影响通过喷头的气流。当气流在沉积期间没有经由喷头被足够地分配时，所述工艺可能无法在基板上产生均匀的沉积，这会导致不能使用的大面积基板。所以，需要一种用以支撑气体分配喷头的设备与方法，所述设备与方法维持基板与气体分配喷头之间的处理空间且不会干扰通过气体分配喷头的气流。
技术实现思路
本专利技术大体上关于一种用以支撑真空腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧、第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。在另一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧，所述第一侧与背板相对，所述第二侧与所述第一侧相对，所述主体具有形成在所述第一侧与所述第二侧之间的多个气体通道，所述多个气体通道中的每一个具有第一孔洞，所述第一孔洞形成在所述第一侧中，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；悬置配件，所述悬置配件设置在所述多个气体通道的至少一个的所述第一孔洞中，而形成堵塞的气体通道；及替代气体通道，所述替代气体通道与所述背板和所述气体分配喷头的所述第一侧之间的容积流体连通，以向所述堵塞的气体通道提供气流。在另一个实施例中，提供一种真空腔室。所述真空腔室包含背板，所述背板设置成贴近气体分配喷头，从而在所述背板与所述气体分配喷头之间界定中间容积。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧和第二侧，所述第一侧与所述中间容积连通；多个气体通道，所述多个气体通道形成在所述第一侧与所述第二侧之间，所述多个气体通道中的每一个都具有第一孔洞，所述第一孔洞形成在所述第一侧中，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；支撑构件，所述支撑构件设置在所述多个气体通道的至少一个之中，所述支撑构件至少部分地限制到阻塞的第二孔洞的气流；及替代气体通道，所述替代气体通道与所述中间容积流体连通，从而向所述悬置配件设置在其中的所述多个气体通道的所述至少一个提供气流。在另一个实施例中，提供一种用以处理基板的方法。所述方法包含下列步骤：通过至少一个支撑构件来在腔室中悬置气体分配喷头，所述气体分配喷头具有多个气体通道，所述至少一个支撑构件设置在所述气体分配喷头与背板之间，所述至少一个支撑构件堵塞到所述多个气体通道中至少一个的气流。所述方法还包含下列步骤：使工艺气体流动到介于所述背板与所述气体分配喷头之间的容积；使所述工艺气体的一部分从所述容积流动通过所述多个气体通道的一部分；及使所述工艺气体的另一部分流动通过替代气体通道，而到达被所述支撑构件堵塞的所述多个气体通道的所述至少一个气体通道。附图说明为了更详细地了解本专利技术的上述特征，可通过参考本专利技术的实施例(某些描绘于附图中)来对如上面所简要概括的本专利技术作更具体的描述。但是应注意的是，附图仅示出本专利技术的典型实施例，且因此附图不应被视为会对本专利技术的范围构成限制，这是因为本专利技术可允许其它等效的实施例。图1是腔室的一个实施例的示意侧视截面图。图2是图1的腔室的部分放大截面图。图3A是背板的另一个实施例的部分截面图，所述背板可用在图1的腔室中。图3B是螺钉器件的一个实施例的部分放大截面图，所述螺钉器件可用在图3A的背板中。图4A是螺纹化支撑构件的一个实施例的侧视图。图4B是图4A的螺纹化支撑构件的平面图。图5A是螺钉器件的另一个实施例的侧视截面图。图5B是图5A所显示的螺钉器件的俯视图。图5C是图5B所显示的螺钉器件的俯视图。图6A是支撑螺母的一个实施例的侧视图。图6B是图6A所显示的支撑螺母的俯视图。图7是背板的一个实施例的平面图，所述背板可用在图1的腔室中。图8是腔室的示意侧视截面图，所述腔室具有另一个实施例的气体分配喷头。图9是图8的气体分配喷头的一部分的放大视图。图10是气体分配喷头的一个实施例的一部分的示意平面图。图11A和11B是气体分配喷头的替代实施例的示意部分截面图。为促进理解，尽可能地已经使用相同的附图标记来表示所述附图共有的相同元件。也可预期，一个实施例的元件与特征结构可有益地并入到其它实施例而无需进一步详述。具体实施方式本专利技术的实施例大致上提供用以支撑在工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，耦接到气体分配喷头的中心区域的至少一个支撑构件配置以支撑气体分配喷头，并且可促进对于由重力、高处理温度和负压的一个或组合所引起的中心下垂与弯曲的抗耐性，由此维持气体分配喷头中的期望水平分布。期望水平分布可以是齐平的(例如，平坦)水平分布、凸起的水平分布或凹入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.28 US 61/368,601;2011.06.17 US 13/163,2411.一种用于真空腔室的气体分配喷头，所述气体分配喷头包含：
主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所
述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形
成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二
孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及
悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述
第一孔洞中。
2.如权利要求1所述的气体分配喷头，其特征在于，所述气体分配喷头
进一步包含：
悬置配件，所述悬置配件设置在所述悬置特征结构中。
3.如权利要求2所述的气体分配喷头，其特征在于，所述气体分配喷头
进一步包含：
替代气体通道，所述替代气体通道与一容积流体连通，所述容积设置在所
述气体分配喷头的所述第一侧上，所述替代气体通道将气流提供到形成在所述
气体分配喷头的所述主体中的所述限缩孔口。
4.如权利要求3所述的气体分配喷头，其特征在于，所述替代气体通道
包含横向定向孔洞，所述横向定向孔洞形成在所述气体分配喷头的所述主体
中。
5.如权利要求4所述的气体分配喷头，其特征在于，所述孔洞形成为相
对于水平面呈角度，所述水平面由所述气体分配喷头的表面界定。
6.如权利要求4所述的气体分配喷头，其特征在于，所述孔洞至少部分
地延伸通过一个或多个邻近的气体通道。
7.如权利要求4所述的气体分配喷头，其特征在于，所述孔洞终止在所
述限缩孔洞上游的位置处。
8.如权利要求3所述的气体分配喷头，其特征在于，所述替代气体通道
是至少部分地形成在所述悬置配件中的纵向孔洞。
9.如权利要求8所述的气体分配喷头，其特征在于，所述悬置配件包含
支撑主体，所述支撑主体在所述支撑主体的第一端处具有螺纹化部分，所述螺
纹化部分界定阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·L·蒂纳，崔寿永，王群华，J·J·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：