成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置，该成膜装置具有原料气体放出部，该原料气体放出部利用与现有相比制作更容易的构造，将多个原料气体冷却并同时不混合地放出至基板上。原料气体放出部(20)由中空的放出容器(21)和多个配管(31a1~31a3、31b1~31b3)构成，该中空的放出容器(21)在容器壁设有多个放出孔(22)，该多个配管(31a1~31a3、31b1~31b3)配置在放出容器(21)的中空部分并在外周侧面设有贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)，外周侧面的贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)的外周部分紧贴在上述容器壁的内侧表面，贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)与放出孔(22)连通。如果使冷媒循环于放出容器(21)的中空部分，则通过配管(31a1~31a3、31b1~31b3)的原料气体被冷却。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及成膜装置，尤其涉及CVD

技术介绍
目前，氮化镓(GaN)用于发光二极管等的电子元件的材料。为了制作氮化镓的结晶，使用有机金属气相成长(MOCVD)法的成膜装置。图8显示了用于MOCVD法的现有的成膜装置110的内部构成图。成膜装置110具有真空槽112、将基板140保持的基板保持台141以及第一原料气体所通过的第一配管132a和第二原料气体所通过的第二配管132b。真空排气装置113连接于真空槽112，真空槽112内构成为能够进行真空排气。第一配管132a和第二配管132b配置在真空槽112内，设于一端的第一放出孔 122a和第二放出孔122b分别朝向基板保持台141上的基板140。第一配管132a和第二配管132b的另一端分别气密地贯通真空槽112的壁面而延伸至真空槽112的外侧，并连接于将第一原料气体放出的第一气体供给部135a和将第二原料气体放出的第二气体供给部 135b。在基板保持台141，安装有电热器142，电源装置144电连接于电热器142。如果从电源装置144施加直流电压至电热器142，则电热器142发热而加热被保持在基板保持台 141的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木康正，木村贤治，塚越和也，池长宣昭，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：
国别省市：