【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及加工设备
，尤其涉及一种风量调节装置。
技术介绍
硅外延是一种典型化学气相淀积(CVD)技术。它的工艺过程是在单晶硅衬底上沿着原来的结晶方向生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构及其完整性都符合要求的新单晶层。在外延工艺技术中，工艺腔室的温度均匀性和冷却效果是一项很重要的技术参数。在一些工艺过程中还需要阶段性改变腔室温度，以便能更好的提高生产率，此时空气流量控制装置将会起到至关重要的作用。如何能准确控制这些参数来对应工艺的需求，是所有风循环冷却过程中要解决的问题。通常使用普通风阀来解决这一问题，在减小风量的过程中风阻会快速的增加，风阻增加会带来风量的减少，这样在整个控制曲线中很难调整到一个合适的点，也很难实现不同阶段的多种风量；在外延工艺中使用的气体多数为易燃易·爆气体，而普通风阀的电动执行器又存在安全隐患。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是提供一种风量调节装置，能够在外延工艺不同阶段提供多种适合的风量。( 二 )技术方案为解决上述问题，本专利技术提供了一种风量调节装置，包括沿风道的轴向设有开口的支承体、可滑动...
【技术保护点】
一种风量调节装置，其特征在于，包括沿风道的轴向设有开口的支承体、可滑动地改变与所述开口重合部分面积的控制滑板、以及驱动所述控制滑板滑动的滑动调节件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘东，崔娟娟，李一吾，刘俊豪，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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