用于光辅助金属有机物化学气相沉积的气体喷淋头装置制造方法及图纸

用于光辅助金属有机物化学气相沉积的气体喷淋头装置，涉及低压MOCVD领域。本发明专利技术包括气体管道，其特征在于，在气体管道上设置有紫外线光源；气体管道上还设置有透光窗口，从紫外光源到管道内部形成通光路径；在气体管道上设置有隔热装置。本发明专利技术的有益效果是，有效降低了喷淋头的温度，有效抑制了金属有机源蒸气在喷淋头内壁的反应；同时引入紫外线辐照，使得金属有机源大分子在到达衬底前得以提前分解，加快了反应速率，改善了薄膜质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于光辅助金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的喷淋头装置，属于低压MOCVD领域，尤其是光辅助MOCVD沉积金属氧化物薄膜及涂层领域。
技术介绍
随着科学技术的发展，目前制备金属氧化物薄膜及涂层的方法多种多样，如溅射(sputtering)、蒸发(evaporation)、脉冲激光沉积(PLD)、溶胶凝胶法(sol-gel)、金属有机物沉积(MOD)、金属有机物气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)等。其中，MOCVD生长技术是H. M. Manasevit于1968年首次提出来的利用金属有机化合物作为反应所需的金属源来进行化合物薄膜生长的气相外延技术。简而言之，载气携带金属有机源化合物和其它气源进入反应室中，经过一系列物理和化学变化后在衬底表面形成外延层。经过四十多年的发展，MOCVD生长技术已经在多种半导体材料生长方面获得了巨大的成功。鉴于其在半导体·材料上的成功，在YBa2Cu3CVx (YBCO)超导材料被发现后，MOCVD生长技术同样被用于YBCO薄膜及涂层导体的制备中。与其它生长技术相比，MOCVD法具有如下优点①适用范围广泛，几乎可以生长所有本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于光辅助金属有机物化学气相沉积的气体喷淋头装置，包括气体管道[2]，其特征在于，在气体管道[2]上设置有紫外线光源；气体管道[2]上还设置有透光窗口[4]，从紫外光源到管道内部形成通光路径；在气体管道[2]上设置有隔热装置[3]。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊杰，张飞，陶伯万，高磊，赵晓辉，李言荣，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：